[發明專利]無封裝LED閃燈、其驅動芯片及制作方法

在審

• 申請號: 201410588808.6
• 申請日: 2014-10-28
• 公開（公告）號: CN105552175A
• 公開（公告）日: 2016-05-04
• 發明（設計）人: 李如東;譚志輝;宋秀海;冶曉飛
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/58
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李相雨

技術領域

本發明涉及半導體芯片制造工藝技術領域，尤其涉及一種無封裝 LED閃燈驅動芯片、無封裝LED閃燈驅動芯片的制作方法和無封裝LED 閃燈。

背景技術

目前，有一類發光二極管(LightingEmittingDiode，簡稱LED) 閃燈產品是將幾個LED燈和驅動芯片共同封裝在透明的環氧樹脂內， 此類產品的驅動芯片外沒有不透明樹脂封裝。

此類產品的驅動芯片的制作方法，如圖1所示，現有技術的無封 裝LED閃燈的驅動芯片的制作方法，包括：P型阱制作；N型金屬氧 化物半導體(NegativechannelMetalOxideSemiconductor，NMOS)源 漏制作；P型金屬氧化物半導體(positivechannelMetalOxide Semiconductor，PMOS)源漏制作；引線孔制作；金屬引線制作；護 層制作。如圖2所示，現有技術中圖1所示制作方法中驅動芯片的護 層制作的步驟，包括：護層沉積；護層光刻；護層刻蝕。

此類LED閃燈產品在光照的環境下驅動芯片的漏電流會增大，導 致部分驅動芯出現功能異常，由于漏電流增大，表現為LED燈出現關 不斷的常亮現象。

發明內容

針對現有技術中的缺陷，本發明提供一種無封裝LED閃燈驅動芯 片、無封裝LED閃燈驅動芯片的制作方法和無封裝LED閃燈，既能 夠不影響終端產品的外觀及亮度，又能夠有效的解決由于光照導致的 驅動芯片漏電流增大的問題。

第一方面，本發明提供一種無封裝LED閃燈的驅動芯片的制作方 法，包括：

提供依次形成有P型阱、N型金屬氧化物半導體NMOS源漏、P 型金屬氧化物半導體PMOS源漏、引線孔，金屬引線的襯底；

在所述襯底上形成包括遮光金屬層的護層。

可選地，所述在所述襯底上形成包括遮光金屬層的護層的步驟， 包括：

在所述襯底上形成護層薄膜；

在所述護層薄膜上形成包括開口區的遮光金屬層；

在所述開口區的護層薄膜上涂第一光刻膠并使用護層掩模板對所 述第一光刻膠進行曝光和顯影，形成第一光刻膠完全去除區域；

刻蝕掉所述第一光刻膠完全去除區域的護層薄膜。

可選地，所述在所述護層薄膜上形成包括開口區的遮光金屬層的 步驟，包括：

在所述護層薄膜上形成遮光金屬層薄膜；

在所述遮光金屬層薄膜上涂第二光刻膠并使用遮光金屬層掩模板 對所述第二光刻膠進行曝光和顯影，形成第二光刻膠完全保留區域和 第二光刻膠完全去除區域；

刻蝕掉所述第二光刻膠完全去除區域的金屬層薄膜，剝離光刻膠， 形成包括開口區的遮光金屬層。

可選地，在所述遮光金屬層薄膜上涂第二光刻膠并使用遮光金屬 層掩模板對所述第二光刻膠進行曝光和顯影，形成第二光刻膠完全保 留區域和第二光刻膠完全去除區域的步驟中，所述遮光金屬層掩模板 曝光的圖形在壓焊點位置，所述遮光金屬層與壓焊點的間距大于 50um。

可選地，所述刻蝕掉所述第二光刻膠完全去除區域的金屬層薄膜 的步驟，包括：

使用等離子干法蝕刻工藝刻蝕掉所述第二光刻膠完全去除區域的 金屬層薄膜。

可選地，所述刻蝕掉所述第二光刻膠完全去除區域的金屬層薄膜 的步驟，包括：

使用濕法蝕刻工藝刻蝕掉所述第二光刻膠完全去除區域的金屬層 薄膜。

可選地，所述遮光金屬層的材料為鋁。

第二方面，本發明提供一種無封裝LED閃燈的驅動芯片，包括： P型阱、NMOS源漏、PMOS源漏、引線孔，金屬引線和護層，所述 護層包括遮光金屬層。

可選地，所述遮光金屬層的材料為鋁。

第三方面，本發明提供一種無封裝LED閃燈，包括：驅動芯片， 所述驅動芯片為權利要求8或9所述的驅動芯片。

由上述技術方案可知，在本發明的無封裝LED閃燈驅動芯片、無 封裝LED閃燈驅動芯片的制作方法和無封裝LED閃燈中，通過在驅 動芯片制作的過程中，在驅動芯片護層上再增加一層遮光金屬層，由 于金屬的反光作用，所以在加入遮光金屬層之后，既能夠不影響終端 產品的外觀及亮度，又能夠有效的解決由于光照導致的驅動芯片漏電 流增大的問題。

附圖說明