[發(fā)明專利]無封裝LED閃燈、其驅(qū)動(dòng)芯片及制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410588808.6
• 申請(qǐng)日: 2014-10-28
• 公開（公告）號(hào): CN105552175A
• 公開（公告）日: 2016-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李如東;譚志輝;宋秀海;冶曉飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L33/58
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 李相雨

1.一種無封裝LED閃燈的驅(qū)動(dòng)芯片的制作方法，其特征在于， 包括：

提供依次形成有P型阱、N型金屬氧化物半導(dǎo)體NMOS源漏、P 型金屬氧化物半導(dǎo)體PMOS源漏、引線孔，金屬引線的襯底；

在所述襯底上形成包括遮光金屬層的護(hù)層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底上 形成包括遮光金屬層的護(hù)層的步驟，包括：

在所述襯底上形成護(hù)層薄膜；

在所述護(hù)層薄膜上形成包括開口區(qū)的遮光金屬層；

在所述開口區(qū)的護(hù)層薄膜上涂第一光刻膠并使用護(hù)層掩模板對(duì)所 述第一光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成第一光刻膠完全去除區(qū)域；

刻蝕掉所述第一光刻膠完全去除區(qū)域的護(hù)層薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述護(hù)層薄 膜上形成包括開口區(qū)的遮光金屬層的步驟，包括：

在所述護(hù)層薄膜上形成遮光金屬層薄膜；

在所述遮光金屬層薄膜上涂第二光刻膠并使用遮光金屬層掩模板 對(duì)所述第二光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成第二光刻膠完全保留區(qū)域和 第二光刻膠完全去除區(qū)域；

刻蝕掉所述第二光刻膠完全去除區(qū)域的金屬層薄膜，剝離光刻膠， 形成包括開口區(qū)的遮光金屬層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在所述遮光金屬層 薄膜上涂第二光刻膠并使用遮光金屬層掩模板對(duì)所述第二光刻膠進(jìn)行 曝光和顯影，形成第二光刻膠完全保留區(qū)域和第二光刻膠完全去除區(qū) 域的步驟中，所述遮光金屬層掩模板曝光的圖形在壓焊點(diǎn)位置，所述 遮光金屬層與壓焊點(diǎn)的間距大于50um。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述刻蝕掉所述第 二光刻膠完全去除區(qū)域的金屬層薄膜的步驟，包括：

使用等離子干法蝕刻工藝刻蝕掉所述第二光刻膠完全去除區(qū)域的 金屬層薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述刻蝕掉所述第 二光刻膠完全去除區(qū)域的金屬層薄膜的步驟，包括：

使用濕法蝕刻工藝刻蝕掉所述第二光刻膠完全去除區(qū)域的金屬層 薄膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述 遮光金屬層的材料為鋁。

8.一種無封裝LED閃燈的驅(qū)動(dòng)芯片,包括：P型阱、NMOS源漏、 PMOS源漏、引線孔，金屬引線和護(hù)層，其特征在于，所述護(hù)層包括 遮光金屬層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的驅(qū)動(dòng)芯片，其特征在于，所述遮光金屬 層的材料為鋁。

10.一種無封裝LED閃燈，包括：驅(qū)動(dòng)芯片，其特征在于，所 述驅(qū)動(dòng)芯片為權(quán)利要求8或9所述的驅(qū)動(dòng)芯片。