[發明專利]超薄多層封裝體及其制作方法

在審

• 申請號: 201410588474.2
• 申請日: 2014-10-28
• 公開（公告）號: CN104282657A
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發明（設計）人: 姜峰;張文奇
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良;涂三民

1.一種超薄多層封裝體，其特征是：在基底層（1）的上表面設有芯片層（2），在芯片層（2）的外部填充有包封體（3），在包封體（3）與芯片層（2）的上表面設有正面鈍化層（4），在基底層（1）的下表面設有介質層（5），在介質層（5）的下表面設有背面鈍化層（6），在正面鈍化層（4）內嵌有正面布線（7），在背面鈍化層（6）內嵌有背面布線（8），背面布線（8）與正面布線（7）之間通過穿透基底層（1）和包封體（3）的金屬柱（9）相連。

2.如權利要求1所述的超薄多層封裝體，其特征是：所述芯片層（2）位于金屬柱（9）區域外；且所述芯片層（2）為一層芯片或者多層堆疊芯片，堆疊方式為倒裝焊或者正面貼裝。

3.如權利要求1所述的超薄多層封裝體，其特征是：所述基底層（1）材料為硅、玻璃、SiC或者三五族單晶體。

4.如權利要求1所述的超薄多層封裝體，其特征是：所述金屬柱（9）分布在基底層（1）外周的方形區域或者金屬柱（9）在基底層（1）的中心區域或者沿中心往外擴散。

5.如權利要求1所述的超薄多層封裝體，其特征是：所述金屬柱（9）直徑范圍為1um~300um，高度范圍為10um~750um；所述金屬柱（9）的外壁上由內向外依次設有種子層、阻擋層和介質層（5）。

6.如權利要求1所述的超薄多層封裝體，其特征是：所述正面布線（7）包含正面鈍化層（4）內部的布線層以及其引出的輸入輸出電性端口；所述背面布線（8）包含背面鈍化層（6）內部的布線層以及其引出的輸入輸出電性端口。

7.一種超薄多層封裝體的制作方法，其特征是該制作方法包含以下步驟：

a、從硅基底層（1）的下表面向上開設盲孔；

b、在盲孔內制作介質層、阻擋層和種子層，然后填充金屬柱（9）；

c、在金屬柱（9）的下端部制作背面布線（8）；

d、從上往下將基底層（1）刻蝕掉，使金屬柱（9）露出，金屬柱（9）的露出高度大于或者等于芯片層（2）的厚度；

e、將芯片層（2）放置在基底層（1）的上表面及金屬柱（9）外的區域；

f、在芯片層（2）的外部填充包封體（3）；

g、研磨使金屬柱（9）的上端部和芯片層（2）的電性接口暴露，再在金屬柱（9）的上端部制作正面布線（7），連接芯片層（2）的電性接口。

8.如權利要求7所述的一種超薄多層封裝體的制作方法，其特征是：步驟d中基底層（1）的減薄量為10~750um。

9.如權利要求7所述的一種超薄多層封裝體的制作方法，其特征是：步驟d中，通過機械研磨或者化學機械拋光對金屬柱（9）的上端部和芯片層（2）進行打平。

10.如權利要求7所述的一種超薄多層封裝體的制作方法，其特征是：步驟f中，包封體（3）通過熱壓塑封、底填充或者壓合膠膜填充在包封體（3）與芯片層（2）的上表面。