[發明專利]導電端子改良之固態電解電容器封裝結構之制造方法在審
申請號: | 201410588276.6 | 申請日: | 2014-10-28 |
公開(公告)號: | CN104299788A | 公開(公告)日: | 2015-01-21 |
發明(設計)人: | 陳明宗;邱繼晧;張坤煌 | 申請(專利權)人: | 鈺邦電子(無錫)有限公司 |
主分類號: | H01G9/15 | 分類號: | H01G9/15;H01G9/10 |
代理公司: | 無錫華源專利事務所(普通合伙) 32228 | 代理人: | 林弘毅;聶漢欽 |
地址: | 214000 江蘇省無錫*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 導電 端子 改良 固態 電解電容器 封裝 結構 制造 方法 | ||
1.一種導電端子改良之固態電解電容器封裝結構之制造方法,其特征在于,包括下列步驟:
提供至少一導電端子,其包含一核心層及一包覆所述核心層的包覆層;
利用一干式移除制程移除部分所述包覆層,使所述核心層形成一從所述包覆層裸露而出的外露表面,且所述外露表面具有一接合區域及一彎折區域;
將多個堆疊型電容器依序堆疊在一起,并電性連接至所述導電端子;
形成一封裝體以完全包覆所述堆疊型電容器,并于所述導電端子上定義出一位于所述封裝體內的導接部及一位于所述封裝體外的一引出部,其中,所述外露表面由所述導接部與所述引出部之相連處分別往所述導接部及所述引出部的方向延伸一小段距離,且所述外露表面的接合區域為所述封裝體所覆蓋;以及
將所述引出部彎折,使其順著所述封裝體的外表面延伸。
2.如權利要求1所述的導電端子改良之固態電解電容器封裝結構之制造方法,其特征在于,其中在提供至少一導電端子的步驟中,進一步以沖壓加工方式于所述導接部上形成一貫穿孔,且部分的所述外露表面為所述貫穿孔所貫穿。
3.如權利要求2所述的導電端子改良之固態電解電容器封裝結構之制造方法,其特征在于,其中在所述形成一封裝體以完全包覆所述堆疊型電容器的步驟中,所述貫穿孔內形成一被所述封裝體填充而形成的填充部及一與所述填充部相連且位于所述封裝體之外的鏤空部。
4.如權利要求1所述的導電端子改良之固態電解電容器封裝結構之制造方法,其特征在于,其中在所述利用一干式移除制程移除部分所述核心層的步驟中,所使用的干式移除制程為一激光雕刻制程。
5.如權利要求4所述的導電端子改良之固態電解電容器封裝結構之制造方法,其特征在于,其中所述激光雕刻制程系以紅光光束之半導體激光進行,且所述激光雕刻制程之操作條件包括500~3000mm/s之加工速度、1060nm之激光光波長、10W~100W之激光輸出功率及25K~250KHz之激光頻率。
6.如權利要求1所述的導電端子改良之固態電解電容器封裝結構之制造方法,其特征在于,包括下列步驟:
提供一陽極端子及一陰極端子,所述陽極端子與所述陰極端子相隔一段距離,所述陽極端子包含一第一核心層及一包覆所述第一核心層的第一包覆層,所述陰極端子包含一第二核心層及一包覆所述第二核心層的第二包覆層;
利用一干式移除制程移除部分所述第一包覆層及部分所述第二包覆層,使所述第一核心層形成一從所述第一包覆層裸露而出的第一外露表面,并使所述第二核心層形成一從所述第二包覆層裸露而出的第二外露表面,其中所述第一外露表面具有一第一接合區域及一第一彎折區域,所述第二外露表面具有一第二接合區域及一第二彎折區域;
將多個堆疊型電容器依序堆疊在一起,并電性連接于所述陽極端子及所述陰極端子;
形成一封裝體以完全包覆所述堆疊型電容器,并于所述陽極端子上定義出一位于所述封裝體內的第一導接部及一位于所述封裝體外的一第一引出部,以及于所述陰極端子上定義出一位于所述封裝體內的第二導接部及一位于所述封裝體外的一第二引出部;
將所述第一引出部及所述第二引出部彎折,使所述第一引出部及所述第二引出部皆順著所述封裝體的外表面延伸;
其中,所述第一外露表面由所述第一導接部與所述第一引出部之相連處分別往所述第一導接部及所述第一引出部的方向延伸一小段距離,所述第二外露表面由所述第二導接部與所述第二引出部之相連處分別往所述第二導接部的方向延伸至其末端及往所述第二引出部的方向延伸一小段距離,且所述第一外露表面的第一接合區域與所述第二外露表面的第二接合區域為所述封裝體所覆蓋。
7.如權利要求6所述的導電端子改良之固態電解電容器封裝結構之制造方法,其特征在于,其中在提供一陽極端子及一陰極端子的步驟中,進一步以沖壓加工方式于所述第一導接部上形成一第一貫穿孔及于所述第二導接部上形成一第二貫穿孔,部分的所述第一外露表面為所述第一貫穿孔所貫穿,部分的所述第二外露表面為所述第二貫穿孔所貫穿。
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