[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410587117.4
• 申請日: 2014-10-28
• 公開（公告）號(hào): CN105632907B
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金滕滕;楊勇
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括：提供基底，在所述基底上依次形成粘附層和電極材料層；形成覆蓋所述電極材料層的四周邊緣的保護(hù)層；在暴露的所述電極材料層的表面上形成圖案化的第一光阻層；以所述圖案化的第一光阻層和所述保護(hù)層為掩膜，刻蝕所述電極材料層和粘附層，以形成電極；去除所述圖案化的第一光阻層。根據(jù)本發(fā)明的制作方法，在濕法刻蝕過程中，避免了對(duì)于邊緣的粘附層和電極材料層的刻蝕速率比中心的刻蝕速率高的問題的發(fā)生，故不會(huì)在晶圓的邊緣產(chǎn)生薄弱點(diǎn)，導(dǎo)致電極剝離，進(jìn)而提高了器件的良率和性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及特別涉及一種半導(dǎo)體器件的制作方法。

背景技術(shù)

金由于其優(yōu)良的傳導(dǎo)特性和化學(xué)惰性被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件中的電連接材料。但是由于金在非金屬材料上的吸附性較差，導(dǎo)致不能制備較厚的金電極層，從而影響了電極的電傳導(dǎo)性能。除此之外，金在非金屬薄膜上較差的吸附性，也嚴(yán)重影響了對(duì)金電極的精細(xì)加工，不利于金作為電極器件的小型化發(fā)展。目前為了解決金電極吸附性差的問題，往往采用微合成工藝?yán)绱趴貫R射和蒸鍍等工藝沉積形成金電極時(shí)，在其下方形成一層粘附層(例如，鉻)，以增加金電極與不同界面之間的附著力。

在金電極制備的過程中，還需要對(duì)其進(jìn)行濕法刻蝕，而濕法刻蝕對(duì)于晶圓邊緣的Au/Cr的刻蝕速率比晶圓中心的刻蝕速率高。故在晶圓邊緣的薄弱點(diǎn)，則很可能引起金電極的剝離，進(jìn)而影響器件的性能和良率。

因此，有必要提出一種新的半導(dǎo)體器件的制作方法，以解決上述技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。

為了克服目前存在的問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括：

提供基底，在所述基底上依次形成粘附層和電極材料層；

形成覆蓋所述電極材料層的四周邊緣的保護(hù)層；

在暴露的所述電極材料層的表面上形成圖案化的第一光阻層；

以所述圖案化的第一光阻層和所述保護(hù)層為掩膜，刻蝕所述電極材料層和粘附層，以形成電極；

去除所述圖案化的第一光阻層。

進(jìn)一步，所述粘附層的材料為Cr。

進(jìn)一步，所述電極材料層的材料為金。

進(jìn)一步，所述保護(hù)層為圓環(huán)形狀。

進(jìn)一步，形成所述保護(hù)層的方法包括以下步驟：

在所述電極材料層上沉積形成保護(hù)材料層；

在所述保護(hù)材料層上形成圖案化的第二光阻層，其中所述圖案化的第二光阻層覆蓋所述保護(hù)材料層的邊緣區(qū)域；

以所述圖案化的第二光阻層為掩膜，刻蝕所述保護(hù)層材料層直到暴露所述電極材料層，以形成所述保護(hù)層；

去除所述圖案化的第二光阻層。

進(jìn)一步，采用磁控濺射工藝形成所述粘附層和電極材料層。

進(jìn)一步，所述保護(hù)層的材料為氧化物。

進(jìn)一步，所述保護(hù)層的厚度為

進(jìn)一步，在形成所述粘附層和電極材料層之前，還包括在所述基底上沉積形成介電層的步驟。

進(jìn)一步，采用濕法刻蝕的方法對(duì)所述粘附層和所述電極材料層進(jìn)行刻蝕。