[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件的制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410587117.4 | 申請日： | 2014-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN105632907B | 公開（公告）日： | 2018-10-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 金滕滕;楊勇 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務(wù)所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 半導(dǎo)體器件 制作方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括：
提供基底，在所述基底上依次形成粘附層和電極材料層，所述電極材料層的材料為金，所述粘附層的材料為Cr；
形成覆蓋所述電極材料層的四周邊緣的保護(hù)層；
在暴露的所述電極材料層的表面上形成圖案化的第一光阻層；
以所述圖案化的第一光阻層和所述保護(hù)層為掩膜，刻蝕所述電極材料層和粘附層，以形成電極；
去除所述圖案化的第一光阻層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述保護(hù)層為圓環(huán)形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述保護(hù)層的方法包括以下步驟：
在所述電極材料層上沉積形成保護(hù)材料層；
在所述保護(hù)材料層上形成圖案化的第二光阻層，其中所述圖案化的第二光阻層覆蓋所述保護(hù)材料層的邊緣區(qū)域；
以所述圖案化的第二光阻層為掩膜，刻蝕所述保護(hù)層材料層直到暴露所述電極材料層，以形成所述保護(hù)層；
去除所述圖案化的第二光阻層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用磁控濺射工藝形成所述粘附層和電極材料層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述保護(hù)層的材料為氧化物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述保護(hù)層的厚度為
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述粘附層和電極材料層之前，還包括在所述基底上沉積形成介電層的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用濕法刻蝕的方法對所述粘附層和所述電極材料層進(jìn)行刻蝕。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
