[發明專利]預濕用組合物在審
| 申請號: | 201410586962.X | 申請日: | 2014-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN104600151A | 公開(公告)日: | 2015-05-06 |
| 發明(設計)人: | 谷津克也;大石誠士 | 申請(專利權)人: | 東京應化工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/22;H01L31/04;C09D5/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 蔣亭 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 預濕用 組合 | ||
技術領域
本發明涉及利用旋涂來涂布液狀物時使用的預濕用組合物。
本申請要求基于2013年10月31日在日本提交的日本特愿2013-226686號的優先權,其內容通過援引加入到本發明中。
背景技術
近年來,太陽能電池在各種用途中都受到注目。太陽能電池的制造工序中,具有在半導體制造用基板的表面涂布擴散材料的工序。這樣的太陽能電池要求廉價且以短的生產節拍時間進行制造。
作為在上述涂布擴散材料的工序中使用的方法,已知:通過旋涂涂布擴散劑的方法(例如參照專利文獻1)。
作為基于旋涂的液狀物涂布,在抗蝕劑涂布的領域中,已知對包含抗蝕劑材料的涂布液進行旋涂的技術。旋涂為能夠以高精度形成均勻膜厚的涂膜的技術,因此例如在使用光刻技術的半導體元件的形成工藝中被用于抗蝕劑涂布的工序。
現有技術文獻?
專利文獻
專利文獻1:日本特開2012-30160號公報
發明內容
在基板上通過旋涂形成涂膜時,大部分供給到基板上的涂布液因離心力而飛散到進行旋轉的基板以外,并由殘留在基板上的涂布液形成涂膜。即所使用的涂布液的大半被廢棄。
如上述專利文獻1所述,在形成太陽能電池時若通過旋涂涂布擴散劑,則會大量廢棄高價的擴散劑。另外,為了使用旋涂廉價地制造太陽能?電池,若單純地減少擴散劑的使用量,則容易產生如下的涂膜的形成不良:涂布液未到達基板的端部從而出現無法形成涂膜的部分,或者在涂膜上形成開孔。因此,欲均勻地涂布擴散劑時,需要使用大量的擴散劑,從而難以應對“廉價”地制造太陽能電池的要求。
另一方面,在抗蝕劑涂布的領域中,在基板上通過旋涂形成涂膜時,多較長地設定基板的旋轉時間(例如從30秒到1分鐘左右),以使涂膜的膜厚平均化。如上述專利文獻1所述,在形成太陽能電池時通過旋涂涂布擴散劑時,若為了縮短生產節拍時間而縮短基板的旋轉時間,則容易產生涂布不均勻從而難以形成均勻的涂膜。因此,難以應對以“短生產節拍時間”制造太陽能電池的要求。
本發明鑒于這樣的情況而進行,其目的在于提供能夠抑制擴散劑的使用量的預濕用組合物。
為了解決上述課題,本發明的一個方式為一種預濕用組合物,其為太陽能電池的制造方法中使用的預濕用組合物,所述預濕用組合物含有質子性的極性溶劑和水,其中所述太陽能電池的制造方法包括:
第1涂布工序,在半導體制造用基板的一面旋涂預濕用組合物;
第2涂布工序,在旋涂了所述預濕用組合物的所述一面旋涂包含具有第1雜質元素的擴散劑和溶劑的擴散材料,形成所述擴散劑的涂膜;和
第1雜質擴散層形成工序,對形成了所述涂膜的所述半導體制造用基板進行熱處理,形成使所述擴散劑所具有的雜質元素擴散后的第1雜質擴散層。
根據本發明,可以提供能夠抑制擴散劑的使用量、抑制擴散劑的涂膜的形成不良的預濕用組合物,所述預濕用組合物為太陽能電池的制造方法中使用的預濕用組合物,所述太陽能電池的制造方法包括:第1涂布工序,在半導體制造用基板的一面旋涂預濕用組合物;第2涂布工序,在旋涂了所述預濕用組合物的所述一面旋涂包含具有第1雜質元素的擴散劑和溶劑的擴散材料,形成所述擴散劑的涂膜;和第1雜質擴散層形成工序,對形成了所述涂膜的所述半導體制造用基板進行熱處理,形成使所述擴散劑所具有的雜質元素擴散后的第1雜質擴散層。
附圖說明
圖1是表示通過本實施方式的太陽能電池的制造方法制造的太陽能電池基板的一例的示意剖面圖。
圖2是表示本實施方式的太陽能電池的制造方法的流程圖。
圖3是表示本實施方式的太陽能電池的制造方法的工序圖。
圖4是表示本實施方式的太陽能電池的制造方法的局部放大圖。
圖5是表示本實施方式的太陽能電池的制造方法的工序圖。
圖6是對第1涂布工序和第2涂布工序的優選條件進行說明的說明圖。
圖7是實施本實施方式的太陽能電池的制造方法的基板處理裝置的說明圖。
圖8是表示基板處理裝置的電氣構成的框圖。
圖9是表示涂布裝置的主要部分構成的圖。
圖10是表示噴嘴部的主要部分構成的圖。
圖11是表示利用涂布裝置涂布擴散材料的工序的流程圖。
圖12是說明涂布裝置中的涂布工序的說明圖。
圖13是表示基板處理裝置的變形例的圖。
具體實施方式
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





