[發(fā)明專利]應用于具有公共陽極的AMOLED像素單元電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410585371.0 | 申請日: | 2014-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN104392690A | 公開(公告)日: | 2015-03-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 楊淼;張白雪;任健雄;曹允 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第五十五研究所 |
| 主分類號: | G09G3/32 | 分類號: | G09G3/32;H01L27/32 |
| 代理公司: | 南京天華專利代理有限責任公司 32218 | 代理人: | 徐冬濤;瞿網(wǎng)蘭 |
| 地址: | 210016 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 應用于 具有 公共 陽極 amoled 像素 單元 電路 | ||
1.一種應用于具有公共陽極的AMOLED像素單元電路,其特征在于:它包括調(diào)整管MN1、開關管MN2、驅動管MP1和存儲電容C1,所述調(diào)整管MN1、開關管MN2為N型MOS管,所述驅動管MP1為P型MOS管;開關管MN2的漏極與輸入電壓源Vdata正向端相連,開關管MN2的源極與所述存儲電容C1的一端、驅動管MP1的柵極相連,開關管MN2的柵極與行選控制信號SEL相連;所述驅動管MP1的漏極、輸入電壓源Vdata負向端與地GND相連,驅動管MP1的源極與所述調(diào)整管MN1的源極相連,調(diào)整管MN1的柵極、存儲電容C1的另一端與電源VDD相連,調(diào)整管MN1的漏極連接OLED的陰極。
2.根據(jù)權利要求1所述的應用于具有公共陽極的AMOLED像素單元電路,其特征在于:當所述輸入電壓源Vdata的電壓信號增大時,調(diào)整管MN1導通電阻將會增大,使OLED陰極電壓增大,最小亮度變小;隨著輸入電壓源Vdata的電壓信號減小,調(diào)整管MN1導通電阻變小到可以忽略,輸入電壓源Vdata電壓最小時,使OLED陰極電壓減小,最大亮度不變,增加了OLED發(fā)光的對比度。
3.根據(jù)權利要求1所述的應用于具有公共陽極的AMOLED像素單元電路,其特征在于:所述行選控制信號SEL為方波信號。
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