[發(fā)明專利]應(yīng)用于具有公共陽(yáng)極的AMOLED像素單元電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410585371.0
• 申請(qǐng)日: 2014-10-28
• 公開（公告）號(hào): CN104392690A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊淼;張白雪;任健雄;曹允
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所
• 主分類號(hào): G09G3/32
• 分類號(hào): G09G3/32;H01L27/32
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責(zé)任公司 32218
• 代理人: 徐冬濤;瞿網(wǎng)蘭

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于微電子及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種應(yīng)用于AMOLED驅(qū)動(dòng)芯片的像素電路。

背景技術(shù)

有源有機(jī)發(fā)光二極管（AMOLED）作為新一代顯示技術(shù)，具有主動(dòng)發(fā)光、視角寬、驅(qū)動(dòng)電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)速度快、功耗低、工作溫度適應(yīng)范圍廣、體積輕薄并且能夠?qū)崿F(xiàn)柔性顯示等特點(diǎn)，具有很廣闊的前景。可用在移動(dòng)終端顯示器，涉及科研、娛樂、通信、軍事、醫(yī)療等各個(gè)行業(yè)和領(lǐng)域，其潛力非常巨大。除了研究高穩(wěn)定性能的OLED器件，研究其驅(qū)動(dòng)技術(shù)也很重要。

按照其驅(qū)動(dòng)方式不同，OLED可分為無源驅(qū)動(dòng)（PMOLED）和有源驅(qū)動(dòng)(AMOLED)兩種方式，其中無源驅(qū)動(dòng)（PMOLED）雖成本低、工藝簡(jiǎn)單，但是存在交叉串?dāng)_、不適合高分辨率等問題。有源驅(qū)動(dòng)(AMOLED)方式能夠發(fā)光是通過像素電路中的驅(qū)動(dòng)管產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電流，驅(qū)動(dòng)電流來驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光，所需的驅(qū)動(dòng)電流較小，功耗更低，壽命更長(zhǎng)。隨著產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程加快，像素電路的具體結(jié)構(gòu)影響著顯示的質(zhì)量，所以對(duì)像素電路的研究有非常重要的意義。但是，當(dāng)前像素單元電路在對(duì)AMOLED發(fā)光的對(duì)比度調(diào)節(jié)上仍有不足，較難實(shí)現(xiàn)高對(duì)比度的調(diào)節(jié)，而且在獲得高亮度的同時(shí)，難以同時(shí)兼顧高對(duì)比度的性能要求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是為AMOLED驅(qū)動(dòng)電路提供一種新型像素電路結(jié)構(gòu)，其能夠改善采用公共陽(yáng)極制作的AMOLED發(fā)光的對(duì)比度，以達(dá)到更好的顯示效果。

本發(fā)明目的采用以下技術(shù)方案是：一種應(yīng)用于具有公共陽(yáng)極的AMOLED像素單元電路，它包括調(diào)整管MN1、開關(guān)管MN2、驅(qū)動(dòng)管MP1和存儲(chǔ)電容C1，所述調(diào)整管MN1、開關(guān)管MN2為N型MOS管，所述驅(qū)動(dòng)管MP1為P型MOS管；開關(guān)管MN2的漏極與輸入電壓源Vdata正向端相連，開關(guān)管MN2的源極與所述存儲(chǔ)電容C1的一端、驅(qū)動(dòng)管MP1的柵極相連，開關(guān)管MN2的柵極與行選控制信號(hào)SEL相連；所述驅(qū)動(dòng)管MP1的漏極、輸入電壓源Vdata負(fù)向端與地GND相連，驅(qū)動(dòng)管MP1的源極與所述調(diào)整管MN1的源極相連，調(diào)整管MN1的柵極、存儲(chǔ)電容C1的另一端與電源VDD相連，調(diào)整管MN1的漏極連接OLED的陰極。

隨著輸入電壓源Vdata的電壓信號(hào)增大時(shí)，調(diào)整管MN1工作區(qū)域?qū)?huì)從線性區(qū)進(jìn)入到亞閾值區(qū)域，其導(dǎo)通電阻逐漸增加，使OLED陰極電壓也逐漸增加，最小亮度變?。浑S著輸入電壓源Vdata的電壓信號(hào)減小，調(diào)整管MN1導(dǎo)通電阻變小到可以忽略，輸入電壓源Vdata的電壓信號(hào)最小時(shí)，使OLED陰極電壓減小，最大亮度不變，增加了OLED發(fā)光的對(duì)比度。

本發(fā)明的具有如下的有益效果：

（1）本發(fā)明利用調(diào)整管根據(jù)輸入數(shù)據(jù)來控制OLED的陰極電壓，從而實(shí)現(xiàn)了高對(duì)比度調(diào)節(jié)。

（2）本發(fā)明在采取調(diào)節(jié)AMOLED公共陽(yáng)極Vcom的電壓獲得高亮度的同時(shí)，也會(huì)獲得高的對(duì)比度，可以同時(shí)兼顧高對(duì)比度和高亮度的性能要求。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的電路原理圖。

圖2是本發(fā)明像素電路時(shí)序圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。

圖1是本發(fā)明像素電路圖，由虛線框2內(nèi)的具體像素電路、外接輸入電壓源Vdata（像素輸入數(shù)據(jù)電壓）、外接OLED構(gòu)成。N型MOS管MN2的漏極與輸入電壓源Vdata正向端相連，N型MOS管MN2的源極與電容C1的一端、P型MOS管MP1的柵極相連。N型MOS管MN2的柵極與行選控制信號(hào)SEL相連。P型MOS管MP1的漏極、電壓源Vdata負(fù)向端與地GND相連。P型MOS管MP1的源極與N型MOS管MN1的源極相連。N型MOS管MN1的柵極、電容C1的另一端與電源VDD相連，?N型MOS管MN1的漏極與OLED陰極相連，OLED陽(yáng)極與公共陽(yáng)極Vcom相連。

下面結(jié)合圖2，對(duì)圖1所示電路的工作過程進(jìn)行詳細(xì)描述：