[發明專利]包括具有三維形狀的源極線的非易失性存儲器件

有效

• 申請號: 201410584845.X
• 申請日: 2014-10-27
• 公開（公告）號: CN104979357B
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發明（設計）人: 全哉垠;吳星來
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;許偉群

一種非易失性存儲器件包括具有三維3D蓋的形狀的源極線。非易失性存儲器件包括第一垂直溝道和第二垂直溝道；源極接觸，其設置在第一垂直溝道之上；漏極接觸，其設置在第二垂直溝道之上；源極線阻擋部，其設置在源極接觸和漏極接觸之間；以及源極線板，其使源極接觸和源極線阻擋部耦接。

相關申請的交叉引用

本申請要求2014年4月7日提交的申請號為10-2014-0041016的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本公開的實施例涉及一種非易失性存儲器件，且更具體而言，涉及一種包括具有三維(3D)的源極線的非易失性存儲器件。

背景技術

非易失性存儲器件是一種即使不供電時也能保持儲存的數據的存儲器件。已經廣泛地利用了諸如快閃存儲器之類的各種非易失性存儲器件。

由于增加二維(2D)非易失性存儲器件(其中，單層的存儲單元形成在半導體襯底之上)的集成度受到限制，所以開發了3D非易失性存儲器件(其中，存儲單元沿著從半導體襯底垂直突出的溝道層形成)。3D非易失性存儲器件可以具有線形狀的溝道層或U形狀的溝道層。具有線形狀的溝道層的3D非易失性存儲器件包括分別形成在層疊的存儲單元之上和之下的位線和源極線。具有U形狀的溝道層的3D非易失性存儲器件包括都設置在層疊的存儲單元之上的位線和源極線。由于具有U形狀的溝道層的3D非易失性存儲器件包括單層的選擇柵，所以它可以具有比具有線形狀的溝道層的3D非易失性存儲器件高的集成度。

然而，具有U形狀的溝道層的3D非易失性存儲器件設計成利用沿著字線的方向通過單元之上的金屬線與單個源極線共同連接。因此，金屬線的電阻非常高，因而發生源極線跳動的可能性高。

發明內容

本公開的各種實施例針對一種包括具有3D蓋形狀的源極線的非易失性存儲器件，其基本上消除了由于相關現有技術的限制和缺點引起的一個或更多個問題。

本公開的一個實施例涉及一種具有U形狀的溝道層的非易失性存儲器件。實施例也涉及增加了非易失性存儲器件的源極線的面積，這導致了源極線的電阻的減小。

根據本公開的一個方面，一種非易失性存儲器件包括：第一垂直溝道和第二垂直溝道；源極接觸，其設置在第一垂直溝道之上；漏極接觸，其設置在第二垂直溝道之上；以及源極線，其與源極接觸耦接，其中，所述源極線包括：源極線阻擋部，其設置在源極接觸和漏極接觸之間；以及源極線板，其使源極接觸與源極線阻擋層耦接。

根據本公開的另一方面，一種非易失性存儲器件包括：管道連接晶體管，其包括管道柵和掩埋在管道柵中的管道溝道膜；以及第一垂直溝道膜和第二垂直溝道膜，其設置在管道溝道膜之上并且與管道溝道膜耦接；多個字線，其包括沿著第一垂直溝道膜層疊的第一字線和沿著第二垂直溝道膜層疊的第二字線；源極接觸，其設置在第一垂直溝道膜之上；漏極接觸，其設置在第二垂直溝道膜之上；以及源極線，其與源極接觸耦接，其中，所述源極線包括：源極線阻擋部，其設置在源極接觸和漏極接觸之間；以及源極線板，其使源極接觸與源極線阻擋部耦接。

應當理解，實施例的前述的大體描述和下面詳細描述都不是限制性的，而意圖提供聲明要求保護的發明的進一步解釋。

附圖說明

圖1圖示了根據本公開一個實施例的非易失性存儲器件；

圖2a至圖2h是圖示根據本公開一個實施例的非易失性存儲器件的制造工藝的截面圖；

圖3圖示了根據本公開另一實施例的非易失性存儲器件。

具體實施方式