[發(fā)明專利]包括具有三維形狀的源極線的非易失性存儲器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410584845.X
• 申請日: 2014-10-27
• 公開（公告）號: CN104979357B
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發(fā)明（設計）人: 全哉垠;吳星來
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;許偉群

1.一種非易失性存儲器件，包括：

第一垂直溝道膜和第二垂直溝道膜；

源極接觸，其設置在所述第一垂直溝道膜之上；

漏極接觸，其設置在所述第二垂直溝道膜之上；以及

源極線，其與所述源極接觸耦接，

其中，所述源極線包括：

源極線阻擋部，其設置在所述源極接觸和所述漏極接觸之間；以及

源極線板，其使所述源極接觸與所述源極線阻擋部耦接。

2.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，還包括：

管道溝道膜，其設置在所述第一垂直溝道膜和所述第二垂直溝道膜之下，并且使所述第一垂直溝道膜和所述第二垂直溝道膜耦接。

3.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述源極線阻擋部沿著與字線平行的方向延伸，并且與所述源極線板的至少一個端部耦接。

4.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述源極線阻擋部與所述源極接觸具有基本相同的高度。

5.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，還包括：

多個第一字線，其圍繞所述第一垂直溝道膜并且沿著所述第一垂直溝道膜層疊；以及

多個第二字線，其圍繞所述第二垂直溝道膜并且沿著所述第二垂直溝道膜層疊。

6.如權利要求5所述的非易失性存儲器件，其中，所述源極線阻擋部設置在使所述第一字線和所述第二字線隔離的絕緣層之上。

7.如權利要求5所述的非易失性存儲器件，其中，所述源極線阻擋部延伸至設置在所述第一字線和所述第二字線之間的區(qū)域中。

8.如權利要求7所述的非易失性存儲器件，還包括：

絕緣膜，其插設在所述源極線阻擋部與所述第一字線和所述第二字線之間。

9.一種非易失性存儲器件，包括：

管道連接晶體管，其包括管道柵和掩埋在所述管道柵中的管道溝道膜；

第一垂直溝道膜和第二垂直溝道膜，其設置在所述管道溝道膜之上，并且與所述管道溝道膜耦接；

多個字線，其包括沿著所述第一垂直溝道膜層疊的第一字線和沿著所述第二垂直溝道膜層疊的第二字線；

源極接觸，其設置在所述第一垂直溝道膜之上；

漏極接觸，其設置在所述第二垂直溝道膜之上；以及

源極線，其與所述源極接觸耦接，

其中，所述源極線包括：

源極線阻擋部，其設置在所述源極接觸和所述漏極接觸之間；以及

源極線板，其使所述源極接觸和所述源極線阻擋部耦接。

10.如權利要求9所述的非易失性存儲器件，其中，所述源極線阻擋部沿著與所述多個字線平行的方向延伸。

11.如權利要求9所述的非易失性存儲器件，其中，所述源極線阻擋部與所述源極接觸具有基本相同的高度。

12.如權利要求11所述的非易失性存儲器件，其中，所述源極線阻擋部設置在使所述第一字線和所述第二字線隔離的絕緣層之上。

13.如權利要求9所述的非易失性存儲器件，其中，所述源極線阻擋部延伸至設置在所述第一字線和所述第二字線之間的區(qū)域中。

14.如權利要求13所述的非易失性存儲器件，還包括：

絕緣膜，其插設在所述源極線阻擋部與所述第一字線和所述第二字線之間。

15.如權利要求9所述的非易失性存儲器件，其中，所述源極線阻擋部沿著與所述多個字線平行的方向延伸，并且與所述源極線板的至少一個端部耦接。