[發明專利]自對準接觸制造方法

有效

• 申請號: 201410584842.6
• 申請日: 2014-10-27
• 公開（公告）號: CN105632921B
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發明（設計）人: 秦長亮;殷華湘;李俊峰;趙超
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/68;H01L21/768
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種自對準接觸制造方法，包括：

在襯底上的第一層間介質層中形成柵極開口，柵極開口的側壁具有柵極側墻；

在柵極開口中形成金屬柵極，與第一層間介質層頂部齊平；

在金屬柵極以及第一層間介質層上形成第二層間介質層，第二層間介質層直接接觸金屬柵極和第一層間介質層的頂部；

在第二層間介質層上形成位于金屬柵極上方的掩模圖形，垂直于襯底方向上掩模圖形的側壁與柵極側墻的外側壁齊平；

以掩模圖形為掩模，依次刻蝕第二層間介質層和第一層間介質層，直至暴露器件的源漏極區域，形成直接暴露柵極側墻側壁的自對準的源漏接觸孔，掩模圖形、第二層間介質層、柵極側墻三者外側壁齊平。

2.如權利要求1所述的方法，其中，形成柵極開口的步驟進一步包括：在襯底上形成假柵極堆疊；在假柵極堆疊兩側襯底中形成源漏極；在襯底上形成覆蓋了假柵極堆疊的第一層間介質層；平坦化層間介質層直至暴露假柵極堆疊；選擇性刻蝕去除假柵極堆疊，在第一層間介質層中留下柵極開口。

3.如權利要求1所述的方法，其中，第二層間介質層的材料與第一層間介質層的材料不同。

4.如權利要求1所述的方法，其中，第二層間介質層和/或柵極側墻的致密性大于第一層間介質層。

5.如權利要求1所述的方法，其中，第二層間介質層的厚度小于金屬柵極的高度。

6.如權利要求1所述的方法，其中，掩模圖形的寬度等于或者接近于柵極側墻寬度的兩倍與金屬柵極的寬度之和。

7.如權利要求1所述的方法，其中，刻蝕為一步刻蝕或兩步刻蝕；或者刻蝕為干法刻蝕、濕法刻蝕及其組合。

8.如權利要求1所述的方法，其中，掩模圖形為光刻膠、氧化硅、或ONO結構。