[發明專利]薄膜晶體管開關及其制備方法、陣列基板、顯示面板

在審

• 申請號: 201410584222.2
• 申請日: 2014-10-27
• 公開（公告）號: CN104391412A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發明（設計）人: 王武;邱海軍;尚飛;王國磊
• 申請（專利權）人: 重慶京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1368
• 分類號: G02F1/1368;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 宋珊珊

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種薄膜晶體管開關及其制備方法、陣列基板、顯示面板。

背景技術

在顯示技術領域中，液晶顯示面板中像素單元的開口區域時影響其顯示品質提高的重要因素。

現有技術中，液晶顯示面板的每一個像素單元中設有一個薄膜晶體管開關TFT，其中，薄膜晶體管開關中的源電極和漏電極通過一次構圖工藝形成，且源電極和漏電極及兩者之間的溝道沿與陣列基板厚度方向垂直的方向排列。

上述TFT中，在源電極和漏電極的排列方向上，TFT的尺寸包括源電極的寬度、漏電極的寬度、以及源電極和漏電極之間的溝道的寬度。由于TFT制備時受曝光機分辨率的限制，源電極與漏電極之間的溝道的寬度不能做的太小，因此，TFT在與陣列基板厚度方向垂直的方向上的寬度不能做的太小，不利于提高像素單元的開口率。

發明內容

本發明提供了一種薄膜晶體管開關及其制備方法、陣列基板、顯示面板，該薄膜晶體管開關在陣列基板厚度方向垂直的方向上的寬度不受曝光機分辨率的影響，便于提高像素單元的開口率。

為達到上述目的，本發明提供以下技術方案：

一種陣列基板的薄膜晶體管開關，包括柵電極、柵電極絕緣層、有源層、源漏電極以及絕緣層，所述源漏電極包括第一電極和第二電極，所述絕緣層位于所述第一電極和所述第二電極之間；所述柵電極、柵電極絕緣層、有源層沿與所述陣列基板厚度方向垂直的方向依次排列；所述第一電極、絕緣層、第二電極位于所述有源層背離所述柵電極絕緣層的一側，所述第一電極、絕緣層、第二電極沿所述陣列基板的厚度方向依次排列、且所述第二電極位于所述第一電極背離所述陣列基板襯底基板的一側。

上述薄膜晶體管開關中，柵電極、柵電極絕緣層、有源層沿垂直于陣列基板厚度方向的方向排列，第一電極、絕緣層、第二電極沿陣列基板的厚度方向排列，因此，第一電極、第二電極、以及第一電極和第二電極之間的溝道沿陣列基板的厚度方向排列。上述薄膜晶體管在像素單元內沿柵電極、柵電極絕緣層以及有源層排列方向上的寬度主要受柵電極絕緣層的寬度、有源層的寬度、第二電極的寬度的影響，而柵電極絕緣層、有源層、第二電極在沿垂直于陣列基板方向上的寬度不受曝光機分辨率的影響，因此，上述薄膜晶體管中，柵電極絕緣層、有源層、第一電極和第二電極在沿柵電極、柵電極絕緣層以及有源層排列方向上的寬度可以做的較小，便于提高像素單元的開口率。

優選地，所述第一電極為漏電極，所述第二電極為源電極。

優選地，所述第一電極為源電極，所述第二電極為漏電極。

本發明還提供了一種陣列基板，包括襯底基板，還包括上述技術方案中提供的任意一種薄膜晶體管開關，所述薄膜晶體管開關設置于所述襯底基板上。

本發明還提供了一種顯示面板，包括上述技術方案中提供的陣列基板。

本發明還提供了一種上述技術方案中提供的任一種薄膜晶體管開關的制備方法，包括：

在襯底基板上形成柵電極的圖形；

沿與所述襯底基板厚度方向垂直的方向，在柵電極的一側形成柵電極絕緣層的圖形；

沿與所述襯底基板厚度方向垂直的方向，在柵電極絕緣層背離所述柵電極的一側形成有源層的圖形；

沿與所述襯底基板厚度方向垂直的方向，在有源層背離所述柵電極的一側形成第一電極的圖形；

沿與所述襯底基板的厚度方向，在第一電極背離所述襯底基板的一側形成絕緣層的圖形；

沿與所述襯底基板的厚度方向，在絕緣層背離所述第一電極的一側形成第二電極的圖形。

優選地，所述在襯底基板上形成柵電極的圖形，具體包括：

在襯底基板上形成柵金屬層，并通過構圖工藝形成柵線的圖形和柵電極的圖形。

優選地，所述沿與所述襯底基板厚度方向垂直的方向，在柵電極的一側形成柵電極絕緣層的圖形，具體包括：

在柵線的圖形和所述柵電極的圖形上形成柵絕緣層，并且沿與襯底基板厚度方向垂直的方向上，在柵電極的一側通過構圖工藝形成一用于設置第一電極、第二電極以及絕緣層的鏤空區域，柵絕緣層位于柵電極與鏤空區域之間的部分形成柵電極絕緣層的圖形。

優選地，當所述第一電極為漏電極、且所述第二電極為源電極時，所述沿與所述襯底基板厚度方向垂直的方向，在有源層背離所述柵電極的一側形成第一電極的圖形，具體包括：

在所述柵絕緣層上形成數據金屬層，通過構圖工藝形成數據線的圖形和漏電極的圖形。