[發明專利]薄膜晶體管開關及其制備方法、陣列基板、顯示面板

在審

• 申請號: 201410584222.2
• 申請日: 2014-10-27
• 公開（公告）號: CN104391412A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發明（設計）人: 王武;邱海軍;尚飛;王國磊
• 申請（專利權）人: 重慶京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1368
• 分類號: G02F1/1368;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 宋珊珊

1.一種陣列基板的薄膜晶體管開關，包括柵電極、柵電極絕緣層、有源層、源漏電極以及絕緣層，其特征在于，所述源漏電極包括第一電極和第二電極，所述絕緣層位于所述第一電極和所述第二電極之間；所述柵電極、柵電極絕緣層、有源層沿與所述陣列基板厚度方向垂直的方向依次排列；所述第一電極、絕緣層、第二電極位于所述有源層背離所述柵電極絕緣層的一側，所述第一電極、絕緣層、第二電極沿所述陣列基板的厚度方向依次排列、且所述第二電極位于所述第一電極背離所述陣列基板襯底基板的一側。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管開關，其特征在于，所述第一電極為漏電極，所述第二電極為源電極。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管開關，其特征在于，所述第一電極為源電極，所述第二電極為漏電極。

4.一種陣列基板，包括襯底基板，其特征在于，還包括如權利要求1～3任一項所述的薄膜晶體管開關，所述薄膜晶體管開關設置于所述襯底基板上。

5.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求4所述的陣列基板。

6.一種如權利要求1～3任一項所述的薄膜晶體管開關的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成柵電極的圖形；

沿與所述襯底基板厚度方向垂直的方向，在柵電極的一側形成柵電極絕緣層的圖形；

沿與所述襯底基板厚度方向垂直的方向，在柵電極絕緣層背離所述柵電極的一側形成有源層的圖形；

沿與所述襯底基板厚度方向垂直的方向，在有源層背離所述柵電極的一側形成第一電極的圖形；

沿與所述襯底基板的厚度方向，在第一電極背離所述襯底基板的一側形成絕緣層的圖形；

沿與所述襯底基板的厚度方向，在絕緣層背離所述第一電極的一側形成第二電極的圖形。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成柵電極的圖形，具體包括：

在襯底基板上形成柵金屬層，并通過構圖工藝形成柵線的圖形和柵電極的圖形。

8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述沿與所述襯底基板厚度方向垂直的方向，在柵電極的一側形成柵電極絕緣層的圖形，具體包括：

在柵線的圖形和所述柵電極的圖形上形成柵絕緣層，并且沿與襯底基板厚度方向垂直的方向上，在柵電極的一側通過構圖工藝形成一用于設置第一電極、第二電極以及絕緣層的鏤空區域，柵絕緣層位于柵電極與鏤空區域之間的部分形成柵電極絕緣層的圖形。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，當所述第一電極為漏電極、且所述第二電極為源電極時，所述沿與所述襯底基板厚度方向垂直的方向，在有源層背離所述柵電極的一側形成第一電極的圖形，具體包括：

在所述柵絕緣層上形成數據金屬層，通過構圖工藝形成數據線的圖形和漏電極的圖形。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述沿與所述襯底基板的厚度方向，在第一電極背離所述襯底基板的一側形成絕緣層的圖形，具體包括：

在所述數據線圖形和漏電極的圖形上形成鈍化層，所述鈍化層位于所述鏤空區域內的部分形成所述絕緣層。