[發明專利]基板斷線修復方法和裝置

在審

• 申請號: 201410583351.X
• 申請日: 2014-10-27
• 公開（公告）號: CN104409320A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發明（設計）人: 張祥
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 唐清凱

技術領域

本發明涉及薄膜晶體管領域，特別是涉及基板斷線修復方法和裝置。

背景技術

TFT(Thin?Flim?Transistor，薄膜晶體管)基板在生產時，金屬膜層的制作是在光刻之后，因此，形成的圖案會有斷線的情況存在。為了避免產生品質問題，需要對斷線的地方進行修復。

一般地，采用激光束實現薄膜的化學氣相沉積，具體方法是在基板導線的斷線缺陷處形成修補線，然后對修補線進行加熱，完成斷線的修復。從本質上講，由激光觸發的化學反應有兩種機制：一是光致化學反應；二是熱致化學反應。前者利用能量較高的光子使分子分解成膜，后者利用激光束熱源實現熱致分解，并使基板溫度升高加速沉積反應。

然而，上述兩種方式均為高溫反應，會損壞TFT基板的質量。

發明內容

基于此，有必要提供一種在常溫下就可以完成斷線修復的基板斷線修復的方法和裝置。

一種基板斷線修復方法，包括以下步驟：

將還原劑與銀氨溶液混合，得到混合液A；

將所述混合液A涂覆在基板的斷線位置，完成基板的斷線修復。

在其中一個實施例中，在所述將還原劑與銀氨溶液混合，得到混合液A的步驟中，還包括控制所述還原劑和所述銀氨溶液流量的步驟。

在其中一個實施例中，在所述完成基板的斷線修復的步驟后，還有將剩余的所述銀氨溶液回收的步驟。

在其中一個實施例中，所述將剩余的所述銀氨溶液回收的步驟包括：

采用純凈水對盛放所述銀氨溶液的容器進行清洗，回收得到清洗液；

向所述回所述清洗液中加入鹽酸溶液，生成氯化銀固體，回收剩余的所述銀氨溶液。

在其中一個實施例中，所述銀氨溶液的制作方法為：

將硝酸銀溶液和氨水混合，得到所述銀氨溶液。

實施上述基板斷線修復方法的裝置，包括銀氨溶液存儲單元、還原劑存儲單元和修復單元；

所述還原劑存儲單元與所述修復單元通過管道連接，所述銀氨溶液存儲單元與所述修復單元通過管道連接；

所述修復單元設有涂覆口。

在其中一個實施例中，還包括控制單元，所述控制單元分別與所述還原劑存儲單元、銀氨溶液存儲單元和修復單元連接。

在其中一個實施例中，還包括回收單元，所述回收單元與所述修復單元通過管道連接。

在其中一個實施例中，所述回收單元包括第一清洗室、第二清洗室和回收箱，所述第一清洗室與所述銀氨溶液存儲單元通過管道連接，所述回收箱與所述銀氨溶液存儲單元通過管道連接，所述第二清洗室與所述回收箱連接。

在其中一個實施例中，所述銀氨溶液存儲單元包括第一原料室、第二原料室和反應室，所述第一原料室與所述反應室通過管道連接，所述第二原料室與所述反應室通過管道連接，所述反應室與所述修復單元通過管道連接。

上述基板斷線修復方法，以銀鏡反應為基礎，通過在基板的斷線處生成銀膜，完成斷線的修復。由于銀氨溶液和還原劑在常溫下就能發生反應生成銀膜，不需要激光或者加熱，因此，避免了修復過程中由于溫度過高而損害TFT基板的情況的發生，保證了TFT基板的品質。同時，由于銀的導電性能好，不會對修復后的TFT基板的性能造成影響。此外，實施上述基板斷線修復方法的裝置，結構簡單，易于操作。

附圖說明

圖1為本發明基板斷線修復方法的流程圖；

圖2為本發明基板斷線修復裝置的結構示意圖；

圖3為圖2所示的基板斷線修復裝置的結構示意圖。

具體實施方式

為了便于理解本發明，下面將參照相關附圖對本發明進行更全面的描述。附圖中給出了本發明的較佳的實施例。但是，本發明可以以許多不同的形式來實現，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本發明的公開內容的理解更加透徹全面。

需要說明的是，當元件被稱為“固定于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。相反，當元件被稱作“直接在”另一元件“上”時，不存在中間元件。本文所使用的術語“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的。