[發明專利]基板斷線修復方法和裝置在審
| 申請號: | 201410583351.X | 申請日: | 2014-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN104409320A | 公開(公告)日: | 2015-03-11 |
| 發明(設計)人: | 張祥 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凱 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 斷線 修復 方法 裝置 | ||
1.一種基板斷線修復方法,其特征在于,包括以下步驟:
將還原劑與銀氨溶液混合,得到混合液A;
將所述混合液A涂覆在基板的斷線位置,完成基板的斷線修復。
2.根據權利要求1所述的基板斷線方法,其特征在于,在所述將還原劑與銀氨溶液混合,得到混合液A的步驟中,還包括控制所述還原劑和所述銀氨溶液流量的步驟。
3.根據權利要求1所述的基板斷線方法,其特征在于,在所述完成基板的斷線修復的步驟后,還有將剩余的所述銀氨溶液回收的步驟。
4.根據權利要求3所述的基板斷線方法,其特征在于,所述將剩余的所述銀氨溶液回收的步驟包括:
采用純凈水對盛放所述銀氨溶液的容器進行清洗,回收得到清洗液;
向所述清洗液中加入鹽酸溶液,生成氯化銀固體,回收剩余的所述銀氨溶液。
5.根據權利要求1-4任一項所述的基板斷線方法,其特征在于,所述銀氨溶液的制作方法為:
將硝酸銀溶液和氨水混合,得到所述銀氨溶液。
6.一種基板斷線修復裝置,其特征在于,
包括銀氨溶液存儲單元、還原劑存儲單元和修復單元;
所述還原劑存儲單元與所述修復單元通過管道連接,所述銀氨溶液存儲單元與所述修復單元通過管道連接;
所述修復單元設有涂覆口。
7.根據權利要求6所述的基板斷線修復裝置,其特征在于,還包括控制單元,所述控制單元分別與所述還原劑存儲單元、銀氨溶液存儲單元和修復單元連接。
8.根據權利要求6所述的基板斷線修復裝置,其特征在于,還包括回收單元,所述回收單元與所述修復單元通過管道連接。
9.根據權利要求8所述的基板斷線修復裝置,其特征在于,所述回收單元包括第一清洗室、第二清洗室和回收箱,所述第一清洗室與所述銀氨溶液存儲單元通過管道連接,所述回收箱與所述銀氨溶液存儲單元通過管道連接,所述第二清洗室與所述回收箱連接。
10.根據權利要求6-9任一項所述的基板斷線修復裝置,其特征在于,所述銀氨溶液存儲單元包括第一原料室、第二原料室和反應室,所述第一原料室與所述反應室通過管道連接,所述第二原料室與所述反應室通過管道連接,所述反應室與所述修復單元通過管道連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





