[發明專利]用于雙面鍍膜的石墨舟片及石墨舟在審
| 申請號: | 201410582768.4 | 申請日: | 2014-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN104282604A | 公開(公告)日: | 2015-01-14 |
| 發明(設計)人: | 黃紀德;蔣方丹;金井升;金浩;陳康平 | 申請(專利權)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 趙青朵 |
| 地址: | 314416 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 雙面 鍍膜 石墨 | ||
1.一種用于雙面鍍膜的石墨舟片,所述石墨舟片設置有鏤空硅片位;
所述鏤空硅片位邊緣設置有硅片卡件。
2.根據權利要求1所述的石墨舟片,其特征在于,每個鏤空硅片位上設置2個~5個硅片卡件。
3.根據權利要求2所述的石墨舟片,其特征在于,所述鏤空硅片位為四邊形;
所述四邊形的鏤空硅片位的四個側邊中至少1個不設置硅片卡件。
4.根據權利要求1所述的石墨舟片,其特征在于,所述硅片卡件為V型。
5.根據權利要求4所述的石墨舟片,其特征在于,所述硅片卡件包括第一卡面和第二卡面;
所述第一卡面的一端和第二卡面的一端相接構成V型硅片卡件。
6.根據權利要求1所述的石墨舟片,其特征在于,所述鏤空硅片位的尺寸大于待鍍膜的硅片。
7.根據權利要求1所述的石墨舟片,其特征在于,所述石墨舟片的長度為1000mm~1500mm;
所述石墨舟片上的鏤空硅片位為3個~10個。
8.根據權利要求7所述的石墨舟片,其特征在于,所述石墨舟片的長度為1100mm~1300mm。
9.一種用于雙面鍍膜的石墨舟,其特征在于,包括多片權利要求1~8任意一項所述的石墨舟片。
10.根據權利要求9所述的石墨舟,其特征在于,所述石墨舟片的片數為11片~21片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





