[發(fā)明專利]一種氧化鋁納米通道薄膜及其制備方法、應用方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410582272.7
• 申請日: 2014-10-27
• 公開（公告）號: CN104713924A
• 公開（公告）日: 2015-06-17
• 發(fā)明（設計）人: 范霞;王慧敏
• 申請（專利權(quán)）人: 北京航空航天大學
• 主分類號: G01N27/26
• 分類號: G01N27/26;C25D11/12
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 張穎玲;孟桂超

1.一種氧化鋁納米通道薄膜的應用方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟一：采用皮安計法確定修飾含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的單鏈脫氧核糖核酸的氧化鋁納米通道薄膜對應的第一電流；

步驟二：將所述修飾含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的單鏈脫氧核糖核酸的氧化鋁納米通道薄膜浸于含有汞離子Hg²⁺和/或銀離子Ag⁺的溶液中預設時間后，取出所述修飾含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的單鏈脫氧核糖核酸的氧化鋁納米通道薄膜；

步驟三：采用皮安計法確定步驟二處理后的所述修飾含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的單鏈脫氧核糖核酸的氧化鋁納米通道薄膜對應的第二電流；

步驟四：根據(jù)所述第一電流和第二電流，確定所述修飾含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的單鏈脫氧核糖核酸的氧化鋁納米通道薄膜能否對汞離子Hg²⁺、銀離子Ag⁺進行特異性識別。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應用方法，其特征在于，所述方法還包括：

確定第一溶液，所述第一溶液中含有汞離子Hg²⁺；所述第一溶液的pH值為5.0-9.0；

確定第二溶液，所述第二溶液中含有銀離子Ag⁺；所述第二溶液的pH值為5.0-9.0；

將第一個所述修飾含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的單鏈脫氧核糖核酸的氧化鋁納米通道薄膜、和第二個所述修飾含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的單鏈脫氧核糖核酸的氧化鋁納米通道薄膜各自浸于第一溶液和第二溶液中預設時間后，取出第一個所述修飾含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的單鏈脫氧核糖核酸的氧化鋁納米通道薄膜和第二個所述修飾含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的單鏈脫氧核糖核酸的氧化鋁納米通道薄膜；

采用皮安計法確定第一個所述修飾含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的單鏈脫氧核糖核酸的氧化鋁納米通道薄膜對應的第三電流、和第二個所述修飾含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的單鏈脫氧核糖核酸的氧化鋁納米通道薄膜對應的第四電流；

將所述第一溶液和第二溶液中的pH值均調(diào)為5以下；

將清洗后的第一個所述修飾含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的單鏈脫氧核糖核酸的氧化鋁納米通道薄膜、和第二個所述修飾含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的單鏈脫氧核糖核酸的氧化鋁納米通道薄膜各自浸于pH值調(diào)整后的所述第一溶液和第二溶液中預設時間后，取出第一個所述修飾含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的單鏈脫氧核糖核酸的氧化鋁納米通道薄膜和第二個所述修飾含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的單鏈脫氧核糖核酸的氧化鋁納米通道薄膜；

采用皮安計法確定第一個所述修飾含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的單鏈脫氧核糖核酸的氧化鋁納米通道薄膜對應的第五電流、和第二個所述修飾含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的單鏈脫氧核糖核酸的氧化鋁納米通道薄膜對應的第六電流；

根據(jù)所述第三電流、第四電流、第五電流和第六電流，區(qū)分所述第一溶液和第二溶液。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應用方法，其特征在于，所述步驟一包括：

將修飾含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的單鏈脫氧核糖核酸的氧化鋁納米通道薄膜置于雙電極電解槽的兩個槽體中間的連通處，以將兩個槽體中的電解液隔離；

采用皮安計法確定一槽體電解液中的離子經(jīng)所述修飾含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的單鏈脫氧核糖核酸的氧化鋁納米通道薄膜后進入另一槽體時所形成的第一電流；

對應地，所述步驟三包括：

將步驟二處理后的所述修飾含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的單鏈脫氧核糖核酸的氧化鋁納米通道薄膜置于所述雙電極電解槽的兩個槽體中間的連通處，以將兩個槽體中的電解液隔離；

采用皮安計法確定一槽體電解液中的離子經(jīng)所述修飾含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的單鏈脫氧核糖核酸的氧化鋁納米通道薄膜后進入另一槽體時所形成的第二電流。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應用方法，其特征在于，當所述第一電流大于所述第二電流時，確定所述修飾含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的單鏈脫氧核糖核酸的氧化鋁納米通道薄膜能對汞離子Hg²⁺和/或銀離子Ag⁺進行特異性識別；所述修飾含有胞嘧啶和胸腺嘧啶的單鏈脫氧核糖核酸的氧化鋁納米通道薄膜能夠?qū)舛确秶?nM-10mM的汞離子或銀離子進行特異性識別。