[發明專利]薄膜晶體管基板的制作方法

有效

• 申請號: 201410580452.1
• 申請日: 2014-10-27
• 公開（公告）號: CN105632920B
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: 方國龍;高逸群;施博理;李志隆;林欣樺
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 汪飛亞

一種薄膜晶體管基板制作方法。該方法包括：提供基板，并在該基板上形成柵極；在該基板上依次形成覆蓋該柵極的柵極絕緣層、金屬氧化層及第一光阻層；圖案化該第一光阻層以形成第一光阻圖案；蝕刻未被該第一光阻圖案覆蓋的金屬氧化物層以形成通道；去除該第一光阻圖案兩側的部分以暴露出部分通道；形成覆蓋該柵極絕緣層、通道以及第一光阻圖案的金屬層，并在該金屬層上形成第二光阻層；圖案化該第二光阻層以形成第二光阻圖案；蝕刻未被該第二光阻圖案覆蓋的金屬層以形成源極與漏極；以及去除該第一光阻圖案與第二光阻圖案。本發明所提供的薄膜晶體管基板制作方法能夠在不使用蝕刻阻擋層的前提下保護通道不被損壞，從而形成理想的薄膜晶體管基板。

技術領域

本發明涉及一種薄膜晶體管基板的制作方法。

背景技術

在制作金屬氧化物薄膜晶體管基板時，由于由金屬氧化物所形成的通道層在蝕刻形成源極及漏極時容易被損壞，通常需要在該通道上額外設置一蝕刻阻擋層以保護通道層。然而，該蝕刻阻擋層不僅增加了薄膜晶體管基板的整體厚度，而且會因為需要添加額外的制程而增加了生產成本。

發明內容

鑒于此，有必要提供一種成本較低的薄膜晶體管基板制作方法。該方法包括：提供基板，并在該基板上形成柵極；

在該基板上依次形成覆蓋該柵極的柵極絕緣層、金屬氧化層及第一光阻層；

圖案化該第一光阻層以形成第一光阻圖案；

蝕刻未被該第一光阻圖案覆蓋的金屬氧化物層以形成通道；

去除該第一光阻圖案兩側的部分以暴露出部分通道；

形成覆蓋該柵極絕緣層、通道以及第一光阻圖案的金屬層，并在該金屬層上形成第二光阻層；

圖案化該第二光阻層以形成第二光阻圖案；

蝕刻未被該第二光阻圖案覆蓋的金屬層以形成源極與漏極；以及

去除該第一光阻圖案與第二光阻圖案。

與現有技術相對比，本發明所提供的薄膜晶體管基板的制作方法，能夠在不使用蝕刻阻擋層的前提下保護通道不被損壞，從而形成理想的薄膜晶體管基板。

附圖說明

圖1是本發明薄膜晶體管基板的制作方法的流程圖。

圖2至圖13是圖1中各步驟流程的剖視圖。

圖14是由本發明制作方法制得的薄膜晶體管基板中源漏極存在不平整結構的俯視圖。

主要元件符號說明