[發明專利]薄膜晶體管基板的制作方法

有效

• 申請號: 201410580452.1
• 申請日: 2014-10-27
• 公開（公告）號: CN105632920B
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: 方國龍;高逸群;施博理;李志隆;林欣樺
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 汪飛亞

1.一種薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于，該方法包括：

提供基板，并在該基板上形成柵極；

在該基板上依次形成覆蓋該柵極的柵極絕緣層、金屬氧化層及第一光阻層；

圖案化該第一光阻層以形成第一光阻圖案，該第一光阻圖案的位置正對所述柵極；

蝕刻未被該第一光阻圖案覆蓋的金屬氧化物層以形成通道；

去除該第一光阻圖案兩側的部分以暴露出部分通道；

形成覆蓋該柵極絕緣層、通道以及第一光阻圖案的金屬層，并在該金屬層上形成第二光阻層；

圖案化該第二光阻層以形成第二光阻圖案，該第二光阻圖案的位置與未形成有該第一光阻圖案的位置相對應；

蝕刻未被該第二光阻圖案覆蓋的金屬層以形成源極與漏極；以及

去除該第一光阻圖案與第二光阻圖案制得薄膜晶體管基板，且所述薄膜晶體管基板中該源極面向漏極的一側與漏極面向源極的一側出現鋸齒狀結構。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于：該方法還包括：

在去除第一光阻圖案與第二光阻圖案后，形成覆蓋該柵極絕緣層、源極、通道、漏極的鈍化層，并在該鈍化層與漏極對應的位置開設接觸孔，然后在該鈍化層上形成電極層，該電極層通過該接觸孔與漏極電性連接。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于：該圖案化的第一光阻圖案的位置正對所述柵極。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于：該去除第一光阻圖案兩側的部分的方法是通過O₂或O₃的等離子體對該第一光阻圖案進行灰化處理。

5.如權利要求4所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于：在灰化處理時，將該第一光阻圖案整體按比例減小從而漏出所覆蓋的通道。

6.如權利要求4所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于：該方法還包括：

在該第一光阻層形成后，利用灰階掩膜對該第一光阻層進行曝光顯影的方法形成厚度不同的階梯狀第一光阻圖案，該第一光阻圖案呈中間厚兩側薄的階梯狀圖案；以及

在灰化處理時，將該第一光阻圖案兩側比中間薄的光阻去除。

7.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于：該第一光阻圖案與第二光阻圖案為正光阻。