[發明專利]一種半導體器件結構及其制造方法在審
| 申請號： | 201410578050.8 | 申請日： | 2014-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN104319284A | 公開（公告）日： | 2015-01-28 |
| 發明（設計）人： | 廖忠平 | 申請（專利權）人： | 矽力杰半導體技術(杭州)有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市西湖*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件結構，包括：
第一摻雜類型的第一半導體層；
位于第一半導體層上的第一摻雜類型的第二半導體層；
位于第二半導體層中的相互隔開的第一柱狀區和第二柱狀區，每兩個相鄰的第一柱狀區之間為所述第二柱狀區，
其中，所述第二柱狀區包括橫向排列的第一子柱狀區和第二子柱狀區，所述第一子柱狀區的摻雜濃度為從第一柱狀區至第二子柱狀區的方向濃度從高到低變化，所述第二子柱狀區的摻雜濃度為從第一柱狀區至第一子柱狀區的方向濃度從高到低變化。
2.根據權利要求1所述的半導體器件結構，包括，所述第一子柱狀區的摻雜濃度從高到低變化趨勢呈階梯狀；所述第二子柱狀區的摻雜濃度從高到低變化趨勢呈階梯狀。
3.根據權利要求1所述的半導體器件結構，包括，所述第一子柱狀區的摻雜濃度從高到低變化趨勢呈線性變化；所述第二子柱狀區的摻雜濃度從高到低變化趨勢呈線性變化。
4.根據權利要求1所述的半導體器件結構，包括，
第二摻雜類型的體區，位于第二半導體層中；
第一摻雜類型的源區，位于體區中；
第一摻雜類型的漏區，位于所述第一半導體層的底部；
5.根據權利要求4所述的半導體器件結構，包括，所述第一柱狀區為第二摻雜類型的柱狀區。
6.根據權利要求4所述的半導體器件結構，包括，所述第一柱狀區為從第二半導體層上方延伸進入其內部的溝槽，所述溝槽通過絕緣層和柵極導體填充。
7.一種半導體器件的制造方法，包括，
在第一摻雜類型的第一半導體層上形成第一摻雜類型的第二半導體層，其中，所述第二半導體層相對于所述第一半導體層輕摻雜；
形成從第二半導體層上方進入其內部的第一柱狀區；
從第一柱狀區的上開口處以一定傾斜角度向所述第二半導體層的剩余區域注入第一摻雜類型，以熱推結方式形成濃度從高到低變化的第二柱狀區；
其中，所述第二柱狀區包括第一子柱狀區和第二子柱狀區，所述第一子柱狀區的摻雜濃度為從第一柱狀區至第二子柱狀區的方向濃度從高到低變化，所述第二子柱狀區的摻雜濃度為從第一柱狀區至第一子柱狀區的方向濃度從高到低變化。
8.根據權利要求7所述的半導體器件的方法，包括，所述第一柱狀區為第二摻雜類型的柱狀區。
9.根據權利要求7所述的半導體器件結構，包括，所述第一柱狀區為從第二半導體層上方延伸進入其內部的溝槽，所述溝槽通過絕緣層和柵極導體填充。
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