[發明專利]半導體裝置的制造方法以及半導體裝置

在審

• 申請號: 201410575580.7
• 申請日: 2014-10-24
• 公開（公告）號: CN104716086A
• 公開（公告）日: 2015-06-17
• 發明（設計）人: 川崎敦子
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 楊謙;房永峰

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在第一基板上形成具有第一導電層以及第一絕緣層且所述第一導電層以及所述第一絕緣層從表面露出的第一布線層，

在第二基板上形成具有第二導電層以及第二絕緣層且所述第二導電層以及所述第二絕緣層從表面露出的第二布線層，

通過使所述第一絕緣層的表面中的、包括所述第一導電層的周圍在內的一部分區域比所述第一導電層的表面低，在所述第一絕緣層的表面形成第一非接合面，

將所述第一導電層的表面與所述第二導電層的表面電連接，并且，將除了所述第一非接合面的所述第一絕緣層的表面與所述第二絕緣層的表面接合。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

按照在所述第一非接合面與所述第二絕緣層之間形成空間的方式，將除了所述第一非接合面的所述第一絕緣層的表面與所述第二絕緣層的表面接合。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

通過使所述第一非接合面與所述第二絕緣層分離、并且將除了所述第一非接合面的所述第一絕緣層的表面與所述第二絕緣層的表面接合來形成所述空間。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

將通過所述第一導電層的表面與所述第二導電層的表面接合而形成的導電體的一部分配置在所述空間內。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在從所述第一布線層的表面露出的所述第一絕緣層的表面上的規定區域形成第一抗蝕層，

通過對從該第一抗蝕層露出的所述第一絕緣層進行蝕刻而使包括所述第一導電層的周圍在內的一部分區域比所述第一導電層的表面低，來形成所述第一非接合面。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第一基板是第一晶片，并且所述第二基板是第二晶片，

在所述第一絕緣層的表面上，將所述第一抗蝕層形成在切割線上。

7.根據權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第一基板是第一晶片，并且所述第二基板是第二晶片，

在所述第一絕緣層的表面上，將所述第一抗蝕層形成在所述切割線上，并且沿著所述第一晶片的周部形成。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

通過使所述第二絕緣層的表面中的、包括所述第二導電層的周圍在內的一部分區域比所述第二導電層的表面低，來在所述第二絕緣層的表面形成第二非接合面，

將所述第一導電層的表面與所述第二導電層的表面電連接，并且，將除了所述第一非接合面的所述第一絕緣層的表面與除了所述第二非接合面的所述第二絕緣層的表面接合。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

按照在所述第一非接合面與所述第二非接合面之間形成空間的方式，將除了所述第一非接合面的所述第一絕緣層的表面與除了所述第二非接合面的所述第二絕緣層的表面接合。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

通過使所述第一非接合面與所述第二非接合面分離，并且將除了所述第一非接合面的所述第一絕緣層的表面與除了所述第二非接合面的所述第二絕緣層的表面接合來形成所述空間。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

將通過所述第一導電層的表面與所述第二導電層的表面接合而形成的導電體的一部分配置在所述空間內。

12.根據權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

通過在從所述第一布線層的表面露出的所述第一絕緣層的表面上的規定區域形成第一抗蝕層，并對從該第一抗蝕層露出的所述第一絕緣層進行蝕刻而使包括所述第一導電層的周圍在內的一部分區域比所述第一導電層的表面低來形成所述第一非接合面，

通過在從所述第二布線層的表面露出的所述第二絕緣層的表面上的規定區域形成第二抗蝕層，并對從該第二抗蝕層露出的所述第二絕緣層進行蝕刻而使包括所述第二導電層的周圍在內的一部分區域比所述第二導電層的表面低來形成所述第二非接合面。