[發明專利]加壓裝置及控制方法有效
| 申請號: | 201410575558.2 | 申請日: | 2010-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN104377151B | 公開(公告)日: | 2019-01-01 |
| 發明(設計)人: | 田中慶一;泉重人 | 申請(專利權)人: | 株式會社尼康 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 李洋;楊林森 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 壓力可變 壓力檢測部 加壓模塊 加壓裝置 壓力分布 工作臺 壓力均勻性 接合基板 基板面 加壓體 載置面 檢測 可變 載置 加壓 變更 | ||
本發明提供加壓裝置及控制方法。在通過加壓來接合基板的情況下,基板面內的壓力均勻性成為問題。提供一種加壓模塊,該加壓模塊具備:工作臺,該工作臺具有載置被加壓體的載置面;壓力可變部,該壓力可變部使上述載置面的面內的壓力分布可變;多個壓力檢測部,該多個壓力檢測部對上述壓力可變部的壓力進行檢測。上述壓力可變部也可以具備控制部,該控制部基于由上述多個壓力檢測部檢測出的壓力,對上述載置面的面內的壓力分布進行變更。
本申請是申請日為2010年09月28日、申請號為201080053252.0、發明名稱為“加壓模塊、加壓裝置以及基板貼合裝置”的發明申請的分案申請。
技術領域
本發明涉及加壓模塊、加壓裝置以及基板貼合裝置。
背景技術
在專利文獻1中記載了利用加熱以及加壓將形成有電路的兩枚晶片接合,來制造三維層疊半導體裝置的晶片接合裝置。在與芯片相比較接合面積寬廣的晶片的情況下,要求在均勻的條件下將晶片整體壓接而接合,晶片接合裝置使用壓力分布控制模塊進行壓力的控制。
專利文獻1:日本特開2009-49066號公報
發明內容
但是,在利用壓力分布控制模塊的構造及其控制方法來接合的晶片的面內的壓力均勻性會產生較大差異。
為了解決上述課題,在本發明的第一方式中,提供一種加壓模塊,該加壓模塊具備:工作臺,該工作臺具有載置被加壓體的載置面;壓力可變部,該壓力可變部使載置面的面內的壓力分布可變;以及多個壓力檢測部,該多個壓力檢測部對壓力可變部的壓力進行檢測。
在本發明的第二方式中,提供一種加壓裝置,將上述加壓模塊對置配置。
在本發明的第三方式中,提供一種基板貼合裝置,該基板貼合裝置具備上述加壓模塊、以及與加壓模塊的工作臺對置配置的其他工作臺,將載置于工作臺以及其他工作臺之間的多個基板貼合。
另外,上述的發明的概要并沒有列舉本發明全部的必要特征。此外,這些特征組的子組合也可以成為發明。
附圖說明
圖1是模式地示出貼合裝置的整體構造的平面圖。
圖2是從上方朝下觀察基板保持器的樣子的立體圖。
圖3是從下方朝上觀察基板保持器的樣子的立體圖。
圖4是模式地示出加壓裝置的整體構造的主視圖。
圖5是示意性地示出下部加壓模塊的構造的剖視圖。
圖6是示出加熱板的形狀以及配置的下部加熱模塊的俯視圖。
圖7是示出加熱板、框架以及支柱部的位置關系的下部加熱模塊的俯視圖。
圖8是負載傳感器的俯視圖和主視圖。
圖9是對電熱加熱器的配線進行說明的剖視圖。
圖10是示意性地示出升降模塊的構造的剖視圖。
圖11是示出使下部副室的體積增加而使主活塞上升的樣子的剖視圖。
圖12是模式地示出加壓裝置840的其他例子的主視圖。
圖13是示意性地示出下部加壓模塊的構造的剖視圖。
圖14是示意性地示出中空加壓部膨出的狀態的剖視圖。
圖15是示意性地示出中空加壓部凹陷的狀態的剖視圖。
圖16是下部加熱模塊的俯視圖。
圖17是示出第一支柱部418以及第二支柱部431的位置關系的下部加熱模塊的俯視圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





