[發(fā)明專利]加壓裝置及控制方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410575558.2 | 申請日： | 2010-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN104377151B | 公開（公告）日： | 2019-01-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 田中慶一;泉重人 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社尼康 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 李洋;楊林森 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 壓力可變 壓力檢測部 加壓模塊 加壓裝置 壓力分布 工作臺(tái) 壓力均勻性 接合基板 基板面 加壓體 載置面 檢測 可變 載置 加壓 變更 | ||
1.一種加壓裝置，包括：
下部頂板，載置多個(gè)半導(dǎo)體基板；
上部頂板，與所述下部頂板相對向設(shè)置，從而在與所述下部頂板之間夾持所述多個(gè)半導(dǎo)體基板；
副EV部，使所述下部頂板在面向所述上部頂板的方向上移動(dòng)到預(yù)定位置；以及
主EV部，從所述下部頂板向所述上部頂板施加壓力；
所述副EV部包括副活塞和副氣缸；
所述主EV部包括主活塞和主氣缸；
所述副活塞固定于所述主活塞上；
所述副氣缸內(nèi)的空間被分割成位于所述主氣缸側(cè)的上部副室和位于地面?zhèn)鹊南虏扛笔遥喜扛遍y與所述上部副室連接，下部副閥與所述下部副室連接，所述副氣缸的流體量由所述上部副閥及所述下部副閥進(jìn)行控制；
所述主氣缸與所述主活塞之間形成主室，主閥與所述主室連接，所述主氣缸的流體量由所述主閥進(jìn)行控制；
通過控制所述上部副閥及所述下部副閥并協(xié)調(diào)控制所述主閥，使所述下部頂板比預(yù)定速度更快地移動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加壓裝置，其中，所述副EV部具有三個(gè)副氣缸－活塞機(jī)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加壓裝置，其中，所述主EV部具有一個(gè)主氣缸－活塞機(jī)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加壓裝置，其中，所述副活塞從所述主氣缸的外側(cè)插通至設(shè)置于所述主氣缸的活塞引導(dǎo)件的內(nèi)部，并到達(dá)所述主室內(nèi)。
5.一種加壓裝置，包括：
下部頂板，載置多個(gè)半導(dǎo)體基板；
上部頂板，與所述下部頂板相對向設(shè)置，從而在與所述下部頂板之間夾持所述多個(gè)半導(dǎo)體基板；
副EV部，使所述下部頂板在面向所述上部頂板的方向上移動(dòng)到預(yù)定位置；以及
主EV部，從所述下部頂板向所述上部頂板施加壓力；
所述副EV部包括副活塞和副氣缸；
所述主EV部包括主活塞和主氣缸；
所述副活塞固定于所述主活塞上；
所述副氣缸內(nèi)的空間被分割成位于所述主氣缸側(cè)的上部副室和位于地面?zhèn)鹊南虏扛笔遥喜扛遍y與所述上部副室連接，下部副閥與所述下部副室連接，所述副氣缸的流體量由所述上部副閥及所述下部副閥進(jìn)行控制；
所述主氣缸與所述主活塞之間形成主室，主閥與所述主室連接，所述主氣缸的流體量由所述主閥進(jìn)行控制；
通過控制所述主閥并協(xié)調(diào)控制所述上部副閥及所述下部副閥，使所述下部頂板比預(yù)定速度更慢地移動(dòng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的加壓裝置，其中，所述副EV部具有三個(gè)副氣缸－活塞機(jī)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的加壓裝置，其中，所述主EV部具有一個(gè)主氣缸－活塞機(jī)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的加壓裝置，其中，所述副活塞從所述主氣缸的外側(cè)插通至設(shè)置于所述主氣缸的活塞引導(dǎo)件的內(nèi)部，并到達(dá)所述主室內(nèi)。
9.一種加壓裝置，包括：
下部頂板，載置多個(gè)半導(dǎo)體基板；
上部頂板，與所述下部頂板相對向設(shè)置，從而在與所述下部頂板之間夾持所述多個(gè)半導(dǎo)體基板；
副EV部，使所述下部頂板在面向所述上部頂板的方向上移動(dòng)到預(yù)定位置；以及
主EV部，從所述下部頂板向所述上部頂板施加壓力；
所述副EV部包括副活塞和副氣缸；
所述主EV部包括主活塞和主氣缸；
所述副活塞固定于所述主活塞上；
所述副氣缸內(nèi)的空間被分割成位于所述主氣缸側(cè)的上部副室和位于地面?zhèn)鹊南虏扛笔遥喜扛遍y與所述上部副室連接，下部副閥與所述下部副室連接，所述副氣缸的流體量由所述上部副閥及所述下部副閥進(jìn)行控制；
所述主氣缸與所述主活塞之間形成主室，主閥與所述主室連接，所述主氣缸的流體量由所述主閥進(jìn)行控制；
通過控制所述主閥并協(xié)調(diào)控制所述上部副閥及所述下部副閥，在所述下部頂板上施加比預(yù)定壓力更大的壓力。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的加壓裝置，其中，所述副EV部具有三個(gè)副氣缸－活塞機(jī)構(gòu)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
