[發明專利]一種復合LED玻璃基板顯示模組的制備方法和顯示模組

有效

• 申請號: 201410573712.2
• 申請日: 2014-10-24
• 公開（公告）號: CN105528967A
• 公開（公告）日: 2016-04-27
• 發明（設計）人: 嚴敏;程君;周鳴波
• 申請（專利權）人: 嚴敏;程君;周鳴波
• 主分類號: G09F9/33
• 分類號: G09F9/33;H01L33/48
• 代理公司: 北京億騰知識產權代理事務所 11309
• 代理人: 陳惠蓮

技術領域

本發明涉及半導體領域，尤其涉及一種復合LED玻璃基板顯示模組的制 備方法和顯示模組。

背景技術

在傳統的半導體顯示器產品發展到今天，配套的或是交叉行業的資源已 經極大地豐富和完善。在傳統的LED產品結構中，通常采用FR4電路板用來 做LED電路基板。

但是，在傳統電路板作為LED電路基板時，其材料的材質里存在的雜質， 氣孔，熱應力，熱膨脹等缺陷，都會造成致命的產品穩定性信賴性的隱患。 傳統的FR4電路板板松散的材質也會帶來的集成成品的熱不穩定性問題，平 整度強度問題，以及為安裝拼接為大屏幕所需要的注塑面罩和塑殼的可靠性 等等。而且在半導體顯示器的分辨率提高到一定程度時(例如像素間距要求 小于1MM時)無法實現加工。因此傳統電路板是完全沒法滿足小尺寸、高精 度的要求，這些都嚴重限制著LED顯示技術在高密度領域的突破和應用。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種復合LED玻璃基板顯示模組的制備方法和 顯示模組，所述方法工藝簡單，成本低，適于大規模生產應用。

第一方面，本發明提供了一種復合LED玻璃基板顯示模組的制備方法， 包括：

在所述復合LED玻璃基板熔嵌倒裝LED晶片組一側的第一表面圖形化淀積 第一絕緣層，并在圖形化區域內露出LED晶片組的第一電極和第二電極；

在所述第一表面上圖形化制備氧化銦錫ITO頂層導電層；其中，所述ITO頂 層導電層與所述第一電極相連接；

在所述第一表面上圖形化制備第二絕緣層，并在圖形化區域內露出所述LED 晶片組的第二電極；

在所述第一表面上圖形化制備ITO底層導電層；其中，所述ITO底層導電層 與所述第二電極相連接；

在所述第一表面上圖形化制備第三絕緣層，根據設計所需在圖形化區域內露 出部分所述ITO頂層導電層和所述ITO底層導電層；

在所述第一表面上圖形化制備ITO驅動控制導電層；其中，所述ITO驅動控 制導電層包括多個ITO導線，分別根據設計所需與所述ITO頂層導電層或所述 ITO底層導電層相連接；

圖形化淀積第四絕緣層；

在所述第四絕緣層的圖形化區域內制作數據級聯端子；

制作球狀引腳柵格陣列BGA共晶焊球和數據級聯端子，通過BGA焊裝方式， 將所述熔嵌倒裝有LED晶片組的復合LED玻璃基板與ASICIC進行共晶焊接， 形成所述顯示模組。

優選的，所述ITO為不透明的ITO，所述ITO的電阻率在10e-5Ω·cm級。

優選的，在所述制作球狀引腳柵格陣列BGA共晶焊球和數據級聯端子之后， 所述方法還包括：

通過所述數據級聯端子，對所述顯示模組進行電學測試。

優選的，所述方法還包括：

利用保護膠對各所述導電層進行選擇性掩蔽。

優選的，在所述對所述顯示模組進行電學測試之后，所述方法還包括：

在所述ASICIC一側貼裝散熱支架，用以對所述顯示模組進行散熱。

第二方面，本發明實施例提供了一種應用上述第一方面所述的方法制備的復 合LED玻璃基板顯示模組。

優選的，所述顯示模組包括：

熔嵌了倒裝LED晶片組的復合LED玻璃基板，ITO電路，BGA焊球，數據 級聯端子，ASICIC和散熱支架。

本發明的復合LED玻璃基板顯示模組的制造方法，工藝簡單，成本低，適 于大規模生產應用。

附圖說明

圖1為本發明實施例提供的一種復合LED玻璃基板顯示模組的制備方法 流程圖；

圖2為本發明實施例提供的復合LED玻璃基板顯示模組的制備過程示意 圖之一；

圖3為本發明實施例提供的復合LED玻璃基板顯示模組的制備過程示意 圖之二；

圖4為本發明實施例提供的復合LED玻璃基板顯示模組的制備過程示意 圖之三；

圖5為本發明實施例提供的復合LED玻璃基板顯示模組的制備過程示意 圖之四；

圖6為本發明實施例提供的復合LED玻璃基板顯示模組的制備過程示意 圖之五；

圖7為本發明實施例提供的復合LED玻璃基板顯示模組的制備過程示意 圖之六；

圖8為本發明實施例提供的復合LED玻璃基板顯示模組的制備過程示意 圖之七；