[發(fā)明專利]一種復(fù)合LED玻璃基板顯示模組的制備方法和顯示模組有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410573712.2 | 申請日: | 2014-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN105528967A | 公開(公告)日: | 2016-04-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 嚴(yán)敏;程君;周鳴波 | 申請(專利權(quán))人: | 嚴(yán)敏;程君;周鳴波 |
| 主分類號: | G09F9/33 | 分類號: | G09F9/33;H01L33/48 |
| 代理公司: | 北京億騰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 11309 | 代理人: | 陳惠蓮 |
| 地址: | 100097 北京市海淀*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 復(fù)合 led 玻璃 顯示 模組 制備 方法 | ||
1.一種復(fù)合LED玻璃基板顯示模組的制造方法,其特征在于,所述方 法包括:
在所述復(fù)合LED玻璃基板熔嵌倒裝LED晶片組一側(cè)的第一表面圖形化 淀積第一絕緣層,并在圖形化區(qū)域內(nèi)露出LED晶片組的第一電極和第二電極;
在所述第一表面上圖形化制備氧化銦錫ITO頂層導(dǎo)電層;其中,所述ITO 頂層導(dǎo)電層與所述第一電極相連接;
在所述第一表面上圖形化制備第二絕緣層,并在圖形化區(qū)域內(nèi)露出所述 LED晶片組的第二電極;
在所述第一表面上圖形化制備ITO底層導(dǎo)電層;其中,所述ITO底層導(dǎo) 電層與所述第二電極相連接;
在所述第一表面上圖形化制備第三絕緣層,根據(jù)設(shè)計所需在圖形化區(qū)域 內(nèi)露出部分所述ITO頂層導(dǎo)電層和部分所述ITO底層導(dǎo)電層;
在所述第一表面上圖形化制備ITO驅(qū)動控制導(dǎo)電層;其中,所述ITO驅(qū) 動控制導(dǎo)電層包括多個ITO導(dǎo)線,分別根據(jù)設(shè)計所需與所述ITO頂層導(dǎo)電層 或所述ITO底層導(dǎo)電層相連接;
圖形化淀積第四絕緣層;
制作球狀引腳柵格陣列BGA共晶焊球和數(shù)據(jù)級聯(lián)端子,通過BGA焊裝 方式,將所述熔嵌倒裝有LED晶片組的復(fù)合LED玻璃基板與ASICIC進(jìn)行 共晶焊接,形成所述顯示模組。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述ITO為不透明的ITO, 所述ITO的電阻率在10e-5Ω·cm級。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在所述制作球狀引腳柵格 陣列BGA共晶焊球和數(shù)據(jù)級聯(lián)端子之后,所述方法還包括:
通過所述數(shù)據(jù)級聯(lián)端子,對所述顯示模組進(jìn)行電學(xué)測試。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
利用保護(hù)膠對各所述導(dǎo)電層進(jìn)行選擇性掩蔽。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在所述對所述顯示模組進(jìn) 行電學(xué)測試之后,所述方法還包括:
在所述ASICIC一側(cè)貼裝散熱支架,用以對所述顯示模組進(jìn)行散熱。
6.一種應(yīng)用上述權(quán)利要求1所述的方法制備的復(fù)合LED玻璃基板顯示 模組。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示模組,其特征在于,所述顯示模組包括:
熔嵌有倒裝LED晶片組的復(fù)合LED玻璃基板,ITO電路,BGA焊球, 數(shù)據(jù)級聯(lián)端子,ASICIC和散熱支架。
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