[發(fā)明專利]一種結(jié)型場效應(yīng)管的制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410571939.3
• 申請日: 2014-10-23
• 公開（公告）號: CN105590855A
• 公開（公告）日: 2016-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬萬里
• 申請（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體的涉及一種結(jié)型場效應(yīng)管的制作方法。

背景技術(shù)

結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JunctionFieldEffectTransistor，JFET)是一種 通過柵電壓改變柵區(qū)PN結(jié)耗盡層的寬度，以達(dá)到調(diào)制導(dǎo)電溝道橫截面積，從而 有效控制溝道電流的多子導(dǎo)電場效應(yīng)半導(dǎo)體器件。目前，廣泛用于變頻器、伺 服控制器、低噪音電源、變頻調(diào)速、家用電器、照明、網(wǎng)絡(luò)通信、計(jì)算機(jī)、汽 車電子、國防、航空航天等領(lǐng)域，是現(xiàn)代電力電子器件中應(yīng)用潛力最大的器件 之一。

因此，結(jié)型場效應(yīng)管的加工制造是產(chǎn)業(yè)鏈的最重要的核心環(huán)節(jié)。但是在目 前的制作工藝中需要進(jìn)行兩次光刻、兩次離子注入和高溫驅(qū)入才能形成阱區(qū)和 柵極區(qū)，步驟比較繁瑣，且耗費(fèi)大量成本。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種結(jié)型場效應(yīng)管的制作方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存 在結(jié)型場效應(yīng)管制造工藝步驟比較繁瑣，且耗費(fèi)大量成本的問題。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種結(jié)型場效應(yīng)管的制作方法，該方法包括：

對場氧化后的襯底的部分氧化層進(jìn)行刻蝕；

將所述刻蝕后的襯底進(jìn)行第一雜質(zhì)的第一次注入，并通過高溫氮?dú)鈱⑺? 刻蝕后的襯底進(jìn)行第一雜質(zhì)的第一次驅(qū)入，形成阱區(qū)；

將第二雜質(zhì)注入所述阱區(qū)，通過高溫氮?dú)鈱λ鲎⑷氲牡诙s質(zhì)進(jìn)行驅(qū)入 形成柵極區(qū)；

對形成柵極區(qū)后的襯底上表面的氧化層進(jìn)行部分刻蝕，并進(jìn)行第一雜質(zhì)的 第二次注入，形成源區(qū)和漏區(qū)；

在所述形成源區(qū)和漏區(qū)后的襯底上表面生成介質(zhì)層，制作接觸孔和金屬層；

其中，所述第一雜質(zhì)的類型和所述第二雜質(zhì)的類型不同。

較佳地，所述第一雜質(zhì)的類型包括：磷離子或硼離子。

較佳地，所述對場氧化后的襯底的部分氧化層進(jìn)行刻蝕，包括：

刻蝕部分氧化層至所述襯底內(nèi)，刻蝕出溝槽。

較佳地，所述溝槽橫截面為梯形結(jié)構(gòu)。

較佳地，所述溝槽在襯底內(nèi)的深度為1-4um，所述溝槽上表面的寬度為 2-20um。

較佳地，所述第一雜質(zhì)第一次注入的離子劑量小于所述第一雜質(zhì)第二次注 入的離子劑量。

較佳地，在所述形成源區(qū)和漏區(qū)后的襯底上表面生成介質(zhì)層，制作接觸孔 和金屬層，包括：

對所述介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，刻蝕出接觸孔；

在所述刻蝕出接觸孔后的襯底上表面生長金屬層，對所述金屬層進(jìn)行刻蝕。

較佳地，所述介質(zhì)層由不摻雜的二氧化硅和磷硅玻璃組成。

較佳地，所述金屬層包括源級金屬層、柵極金屬層和漏極金屬層，其中， 所述金屬層的材料為鋁、硅、銅合金。

本發(fā)明實(shí)施例通過對場氧化后的襯底進(jìn)行刻蝕，將所述刻蝕后的襯底進(jìn)行 第一雜質(zhì)的第一次的注入和驅(qū)入，形成阱區(qū)，將第二雜質(zhì)的注入和驅(qū)入所述阱 區(qū)，形成柵極區(qū)，對形成柵極區(qū)的襯底的表面進(jìn)行刻蝕，并進(jìn)行第一雜質(zhì)的第 二次的注入，形成源區(qū)和漏區(qū)，最后在所述形成源區(qū)和漏區(qū)的襯底的表面生成 介質(zhì)層，制作接觸孔和金屬層。本發(fā)明實(shí)施例減少了結(jié)型場效應(yīng)管的工藝流程， 提高了制造效率，降低了制造成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所 需要使用的附圖作簡要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的 一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提 下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例中一種結(jié)型場效應(yīng)管的制造方法流程圖；

圖2a至圖2i為本發(fā)明實(shí)施例中一種結(jié)型場效應(yīng)管的制造方法流程圖；

圖3a至圖3i為本發(fā)明實(shí)施例中另一種結(jié)型場效應(yīng)管的制造方法流程圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā) 明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部份實(shí)施例， 而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做 出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

為了提高結(jié)型場效應(yīng)管的制造效率，如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一 種結(jié)型場效應(yīng)管的制作方法，該方法包括：

步驟S101，對場氧化后的襯底1的部分氧化層2進(jìn)行刻蝕；