[發明專利]一種結型場效應管的制作方法

在審

• 申請號: 201410571939.3
• 申請日: 2014-10-23
• 公開（公告）號: CN105590855A
• 公開（公告）日: 2016-05-18
• 發明（設計）人: 馬萬里
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種結型場效應管的制作方法，其特征在于，該方法包括：

對場氧化后的襯底的部分氧化層進行刻蝕；

將所述刻蝕后的襯底進行第一雜質的第一次注入，并通過高溫氮氣將所述 刻蝕后的襯底進行第一雜質的第一次驅入，形成阱區；

將第二雜質注入所述阱區，通過高溫氮氣對所述注入的第二雜質進行驅入 形成柵極區；

對形成柵極區后的襯底上表面的氧化層進行部分刻蝕，并進行第一雜質的 第二次注入，形成源區和漏區；

在所述形成源區和漏區后的襯底上表面生成介質層，制作接觸孔和金屬層；

其中，所述第一雜質的類型和所述第二雜質的類型不同。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一雜質的類型包括：磷 離子或硼離子。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對場氧化后的襯底的部分 氧化層進行刻蝕，包括：

刻蝕部分氧化層至所述襯底內，刻蝕出溝槽。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述溝槽橫截面為梯形結構。

5.如權利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述溝槽在襯底內的深度 為1-4um，所述溝槽上表面的寬度為2-20um。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一雜質第一次注入的離 子劑量小于所述第一雜質第二次注入的離子劑量。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述形成源區和漏區后的襯 底上表面生成介質層，制作接觸孔和金屬層，包括：

對所述介質層進行刻蝕，刻蝕出接觸孔；

在所述刻蝕出接觸孔后的襯底上表面生長金屬層，對所述金屬層進行刻蝕。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述介質層由不摻雜的二氧化 硅和磷硅玻璃組成。

9.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述金屬層包括源級金屬層、 柵極金屬層和漏極金屬層，其中，所述金屬層的材料為鋁、硅、銅合金。