[發明專利]薄膜晶體管及像素結構

有效

• 申請號: 201410570625.1
• 申請日: 2014-10-23
• 公開（公告）號: CN104269442A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發明（設計）人: 陳培銘
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L27/12
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張浴月;金鵬

1.一種薄膜晶體管，包括：

一基板；

一柵極，設置于該基板上并與一柵極線連接，其中該柵極線實質上沿一第一方向延伸，且該柵極線包括一第一柵極線段與一第二柵極線段，該柵極的一端與該第一柵極線段連接，且該柵極的另一端與該第二柵極線段連接，該柵極實質上沿一第二方向延伸，且該第二方向與該第一方向不平行也不垂直；

一柵極絕緣層，覆蓋于該柵極上；

一氧化物半導體溝道層，設置于該柵極絕緣層上并與該柵極在一垂直投影方向上重疊，其中該氧化物半導體溝道層實質上沿該第二方向延伸；

一介電層，設置于該柵極絕緣層與該氧化物半導體溝道層上，該介電層具有一第一接觸洞與一第二接觸洞，分別部分暴露出該氧化物半導體溝道層，其中該第一接觸洞的一中心點與該第二接觸洞的一中心點在該第一方向上不共線；

一源極，設置于該介電層上并經由該第一接觸洞與該氧化物半導體溝道層接觸且連接，其中該源極與一數據線連接，且該數據線實質上沿一第三方向延伸；以及

一漏極，設置于該介電層上并經由該第二接觸洞與該氧化物半導體溝道層接觸且連接。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中該第一接觸洞的該中心點與該第二接觸洞的該中心點在該第二方向上共線。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中該第一方向與該第二方向的一夾角實質上介于15度與70度之間。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中該第一方向與該第三方向彼此交錯。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中該氧化物半導體溝道層實質上為一長條形，且該長條形的一長邊實質上與該第二方向平行。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中該第一柵極線段實質上為一長條段，且該長條段的一長邊實質上與該第一方向平行，該第二柵極線段實質上為一L形線段，該L形線段包括一第一段與一第二段，該第一段的一長邊實質上與該第一方向平行，且該第二段的一長邊實質上與該第三方向平行。

7.如權利要求6所述的薄膜晶體管，其中該數據線與該L形線段的該第二段在該垂直投影方向上部分重疊。

8.如權利要求6所述的薄膜晶體管，其中該數據線與該L形線段的該第一段在該垂直投影方向上部份重疊。

9.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中該第二方向為正斜率方向。

10.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中該第二方向為負斜率方向。

11.一種像素結構，包括：

如權利要求第1項所述的該薄膜晶體管；以及

一像素電極，設置于該基板與該介電層之上且連接該漏極。

12.如權利要求11所述的像素結構，還包括一保護層，覆蓋于該薄膜晶體管與該介電層之上，且該保護層具有一第三接觸洞，其中該像素電極經由該第三接觸洞與該漏極接觸且連接。

13.如權利要求11所述的像素結構，還包括一共通電極，設置于該基板上，其中該共通電極與該像素電極其中至少一者包括有多個指狀電極，且兩相鄰的該等指狀電極間具有至少一個狹縫。

14.如權利要求13所述的像素結構，其中該共通電極設置于該像素電極的下方，且該共通電極位于該像素電極與該基板之間。

15.如權利要求13所述的像素結構，其中該共通電極設置于該像素電極的上方，且該像素電極位于該共通電極與該基板之間。

16.如權利要求13所述的像素結構，其中該共通電極與該像素電極皆位于該保護層上。

17.如權利要求13所述的像素結構，其中該共通電極與該像素電極皆具有該等指狀電極，且該共通電極的各該指狀電極與該像素電極的各該指狀電極相互交錯排列。