[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝結構

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410569770.8
• 申請日: 2014-10-23
• 公開（公告）號: CN105591007A
• 公開（公告）日: 2016-05-18
• 發(fā)明（設計）人: 林厚德;張超雄;陳濱全;陳隆欣
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/60
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 謝志為

1.一種發(fā)光二極管封裝結構，包括至少兩電極，與所述至少兩電極電性連接的至少一發(fā)光二極管芯片，覆蓋所述發(fā)光二極管芯片的封裝體，以及將所述封裝體、所述發(fā)光二極管芯片圍設在內的殼體，所述殼體包括基座和自基座向上延伸的反射杯，所述反射杯將發(fā)光二極管芯片環(huán)繞，其特征在于：所述殼體還包括支撐件，所述支撐件設置于所述反射杯內部，并橫跨于所述至少兩電極上。

2.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于：所述基座包括框體和若干支架，所述反射杯自框體沿高度方向延伸形成，所述至少兩電極形成在所述基座上并通過所述若干支架間隔，所述支撐件自所述反射杯的一側壁延伸至相對的另一側壁，并橫跨其中一個支架。

3.如權利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于：所述若干支架包括第一支架、第二支架和第三支架，所述第一支架和第二支架均自所述框體的一側邊延伸至另一側邊，所述第三支架形成于第一支架和第二支架之間，所述支撐件橫跨所述第三支架。

4.如權利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于：所述第一支架和第二支架平行，并沿所述框體的寬度方向延伸，所述支撐件與第一支架和第二支架平行并位于所述框體的中軸線上。

5.如權利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于：所述框體和所述第一支架、第二支架和第三支架共同圍成第一電極本體區(qū)、第二電極本體區(qū)、第一延伸區(qū)和第二延伸區(qū)，其中第一電極本體區(qū)由第一支架與框體圍成，第二電極本體區(qū)由第二支架與框體圍成，框體和第三支架圍成相互間隔的第一延伸區(qū)和第二延伸區(qū)，第一延伸區(qū)和第二延伸區(qū)夾設于第一電極本體區(qū)和第二電極本體區(qū)之間。

6.如權利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于：所述第一支架的一部分、所述第二支架的一部分和所述第三支架的高度相等，共同構成“Z”字形凸起。

7.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于：所述至少兩電極至少包括第一電極和第二電極，所述第一電極和第二電極之間由“Z”字形間隔區(qū)間隔。

8.如權利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于：所述第一電極包括第一本體部和第一延伸部，第二電極包括第二本體部和第二延伸部，第一延伸部和第二延伸部分別自第一電極的第一本體部和第二電極的第二本體部相向延伸形成，所述間隔區(qū)形成于所述第一延伸部和第二延伸部之間。

9.如權利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于：所述支撐件橫跨于所述第一延伸部、間隔區(qū)和第二延伸部上。

10.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于：所述支撐件的高度小于所述反射杯的高度。