[發明專利]一種半導體橋多晶硅制備方法

在審

• 申請號: 201410566207.5
• 申請日: 2014-10-22
• 公開（公告）號: CN104538281A
• 公開（公告）日: 2015-04-22
• 發明（設計）人: 周祖渝
• 申請（專利權）人: 重慶市旭星化工有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

技術領域

本發明涉及半導體制備技術領域，尤其涉及一種半導體橋多晶硅制備方法。

背景技術

半導體橋火工品具有電阻負溫度特性、邊緣汽化效應、硅熔化時電阻率突降、低熔點和電離等優點，已成為火工品首選器件，廣泛應用于火箭、衛星、飛船、飛行員救生以及民用工程爆破、火藥動力等裝置。多晶硅半導體橋是半導體橋中性價比最好的一種，是各國公司重點開發的產品。但是，多晶硅半導體橋加工中，多晶硅淀積的顆粒、厚度、摻雜等對多晶硅半導體橋的性能影響非常嚴重。多晶硅厚度太厚會產生龜裂現象，顆粒不均勻會影響多晶硅汽化產生等離子體的時間和臨界電流。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種方法簡單、易操作，獲得的橋多晶硅顆粒均勻、摻雜濃度高，電阻變化小，性能更加穩定的半導體橋多晶硅制備方法。

本發明解決上述技術問題的技術方案如下：一種半導體橋多晶硅制備方法，包括如下步驟：

采用低壓力化學氣相沉積法淀積多晶硅薄膜；

在多晶硅薄膜上腐蝕出多晶硅橋，并濺射鈦鎢金；

利用光刻法將電阻的兩個端頭露出，其余地方用光刻膠遮擋；

以鈦鎢金為底金，進行電鍍金；

去掉光刻膠，腐蝕掉光刻膠保護的建設鈦鎢金，并進行清洗；

將半導體多晶硅在氮氣環境下退火處理得到半導體橋多晶硅。

在上述技術方案的基礎上，本發明還可以做如下改進。

進一步，所述采用低壓力化學氣相沉積法淀積多晶硅薄膜步驟的具體實現如下：

采用低壓力化學氣相沉積法，在400～600℃溫度條件下淀積多晶硅薄膜。

進一步，所述以鈦鎢金為底金，進行電鍍金步驟的具體實現如下：

以鈦鎢金為底金，進行電鍍金，厚度為2～4μm。

進一步，所述將半導體多晶硅在氮氣環境下退火處理得到半導體橋多晶硅步驟的具體實現如下：

將半導體多晶硅在氮氣環境、400～550℃溫度條件下退火20～60min得到半導體橋多晶硅。

本發明的有益效果是：

1.方法簡單、易操作；

2.獲得的橋多晶硅顆粒均勻、摻雜濃度高，電阻變化小，性能更加穩定。

附圖說明

圖1為本發明一種半導體橋多晶硅制備方法流程示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖對本發明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發明，并非用于限定本發明的范圍。

如圖1所示，一種半導體橋多晶硅制備方法，包括如下步驟：

采用低壓力化學氣相沉積法淀積多晶硅薄膜；

在多晶硅薄膜上腐蝕出多晶硅橋，并濺射鈦鎢金；

利用光刻法將電阻的兩個端頭露出，其余地方用光刻膠遮擋；

以鈦鎢金為底金，進行電鍍金；

去掉光刻膠，腐蝕掉光刻膠保護的建設鈦鎢金，并進行清洗；

將半導體多晶硅在氮氣環境下退火處理得到半導體橋多晶硅。

實施例1：

采用低壓力化學氣相沉積法，在400℃溫度條件下淀積多晶硅薄膜；在多晶硅薄膜上腐蝕出多晶硅橋，并濺射鈦鎢金；利用光刻法將電阻的兩個端頭露出，其余地方用光刻膠遮擋；以鈦鎢金為底金，進行電鍍金，厚度為2μm；去掉光刻膠，腐蝕掉光刻膠保護的建設鈦鎢金，并進行清洗；將半導體多晶硅在氮氣環境、400℃溫度條件下退火20min得到半導體橋多晶硅。

實施例2：

采用低壓力化學氣相沉積法，在500℃溫度條件下淀積多晶硅薄膜；在多晶硅薄膜上腐蝕出多晶硅橋，并濺射鈦鎢金；利用光刻法將電阻的兩個端頭露出，其余地方用光刻膠遮擋；以鈦鎢金為底金，進行電鍍金，厚度為3μm；去掉光刻膠，腐蝕掉光刻膠保護的建設鈦鎢金，并進行清洗；將半導體多晶硅在氮氣環境、450℃溫度條件下退火30min得到半導體橋多晶硅。

實施例3：

采用低壓力化學氣相沉積法，在600℃溫度條件下淀積多晶硅薄膜；在多晶硅薄膜上腐蝕出多晶硅橋，并濺射鈦鎢金；利用光刻法將電阻的兩個端頭露出，其余地方用光刻膠遮擋；以鈦鎢金為底金，進行電鍍金，厚度為4μm；去掉光刻膠，腐蝕掉光刻膠保護的建設鈦鎢金，并進行清洗；將半導體多晶硅在氮氣環境、550℃溫度條件下退火60min得到半導體橋多晶硅。

以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。