[發明專利]一種半導體橋多晶硅制備方法

在審

• 申請號: 201410566207.5
• 申請日: 2014-10-22
• 公開（公告）號: CN104538281A
• 公開（公告）日: 2015-04-22
• 發明（設計）人: 周祖渝
• 申請（專利權）人: 重慶市旭星化工有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

1.一種半導體橋多晶硅制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

采用低壓力化學氣相沉積法淀積多晶硅薄膜；

在多晶硅薄膜上腐蝕出多晶硅橋，并濺射鈦鎢金；

利用光刻法將電阻的兩個端頭露出，其余地方用光刻膠遮擋；

以鈦鎢金為底金，進行電鍍金；

去掉光刻膠，腐蝕掉光刻膠保護的建設鈦鎢金，并進行清洗；

將半導體多晶硅在氮氣環境下退火處理得到半導體橋多晶硅。

2.根據權利要求1所述一種半導體橋多晶硅制備方法，其特征在于，所述采用低壓力化學氣相沉積法淀積多晶硅薄膜步驟的具體實現如下：

????采用低壓力化學氣相沉積法，在400～600℃溫度條件下淀積多晶硅薄膜。

3.根據權利要求1所述一種半導體橋多晶硅制備方法，其特征在于，所述以鈦鎢金為底金，進行電鍍金步驟的具體實現如下：

????以鈦鎢金為底金，進行電鍍金，厚度為2～4μm。

4.?根據權利要求1所述一種半導體橋多晶硅制備方法，其特征在于，所述將半導體多晶硅在氮氣環境下退火處理得到半導體橋多晶硅步驟的具體實現如下：

將半導體多晶硅在氮氣環境、400～550℃溫度條件下退火20～60min得到半導體橋多晶硅。