[發明專利]一種碳包裹二氧化錫中空納米刺球的制備方法無效
| 申請號: | 201410565997.5 | 申請日: | 2014-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN104393269A | 公開(公告)日: | 2015-03-04 |
| 發明(設計)人: | 陳志文;汪文峰;侯凌癸;黃茹婷;張乾 | 申請(專利權)人: | 上海大學 |
| 主分類號: | H01M4/48 | 分類號: | H01M4/48;H01M4/62;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顧勇華 |
| 地址: | 200444*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 包裹 氧化 中空 納米 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及應用氧化還原法制備錫球,然后利用水熱法將錫與葡萄糖反應,從而制備出性能優良的碳包裹SnO2中空納米刺球,屬于功能性復合材料制備工藝領域。
背景技術
SnO2是一種n型寬能帶半導體,由于其良好的導電性和光透性,在透明導電電極、固體傳感器、鋰離子電池、太陽能電池等方面有廣泛應用。目前電子行業應用的電池多數為石墨電極,理論容量僅有372?mAh·g-1,已經不能滿足人們的需求。特別是自從Fuji?Photo?Film報道了錫基氧化物具有很高的電容量之后(780?-790?mAh·g-1),再加上氧化錫成本低、無毒環保等優良特性,因此,將SnO2應用于鋰離子電池方面日益引起研究者的關注。
然而,SnO2在充放電循環過程中很容易發生較大的體積改變和大量的粒子團聚,以及較低導電率,這不可避免的導致了電極材料的粉碎和顆粒間電子觸點的損失,因此在循環過程中會導致不可逆容量損失和較差的循環穩定性。如何改性SnO2,將其高容量性能應用到鋰離子電池,成為研究的熱點。
為解決這一問題,目前,國內外對氧化錫改性的方法很多,概括起來有兩種。一種方法是在納微米級別,制備SnO2的各種形貌結構,如中空結構、納米棒、納米花、納米片、量子點等特殊的納米結構。以中空球形結構為例,中空結構能夠很大程度上適應循環過程中較大的體積變化。這些納米結構電極材料能有效提高電解質與活性材料的接觸面積,縮短了鋰離子的擴散路程,這樣使得電學性能明顯提高。另一種有效方式是將導電性較好碳材料與金屬氧化物復合,包括石墨烯、碳納米管、無定形碳與金屬氧化物復合。以碳包裹SnO2復合材料為例,碳包裹SnO2復合材料被認為是一種提升鋰離子電池循環穩定性的高效途徑。在這里碳有雙重作用,首先,對于在充放電過程中鋰離子嵌入遷出引起的活性材料體積改變,起到很好物理緩沖層作用,有效避免了粒子團聚;其次,碳能夠增加電極材料的導電性。
為獲得更好的電化學性能,本研究致力于將以上這兩種方法聯合,制備了碳包裹氧化錫的中空刺球結構。這種球形結構相對于Lou等文獻中報道的表面較光滑的結構而言,明顯提高了活性物質氧化錫與碳的接觸面積,有望在鋰離子存儲方面呈現出超強的循環穩定性和電容量。
發明內容
本發明的目的是提供一種碳包裹二氧化錫中空納米刺球的制備方法
本發明一種碳包裹二氧化錫中空納米刺球的制備方法,其特征在于具有以下步驟:
a.?????????室溫下,將0.8?g聚乙烯吡咯烷酮加入到盛有50?mL一縮二乙二醇的錐形瓶中,攪拌10?min,觀察白色粉末完全溶解呈現無色;
b.????????將錐形瓶置于油浴鍋中,至溫度升高到180℃,加入1.2?g?SnCl2?·2H2O,加熱5-10?min;
c.?????????將0.8?g硼氫化鈉溶解于10?ml一縮二乙二醇中,用一次性吸管快速攪拌數秒后,快速逐滴加入錐形瓶中,硼氫化鈉的一縮二乙二醇溶液滴加速度10-60滴/分鐘,維持溫度油浴鍋在160-180℃,10~25?min,停止加熱,冷卻至室溫,用乙醇離心洗滌3次,真空烘箱中80℃干燥,得到純凈的球形錫;
d.????????稱量1.8~2.0?g葡萄糖于50?ml去離子水中,加入0.2?g上述的球形錫,在超聲功率為100?W的超聲儀中超聲10?min,攪拌1?h?以上,溶液呈灰色;
e.?????????將溶液轉移至反應釜中,180℃反應6~12?h,反應結束后,關閉烘箱開關,冷卻至室溫;
f.?????????打開反應釜,將棕褐色樣品用去離子水洗滌數次,再用乙醇洗滌,放入烘箱中80℃真空干燥10?h。最終制得碳包裹氧化錫中空納米刺球。?
所述的硼氫化鈉的一縮二乙二醇溶液滴加速度以30滴/分鐘為最佳。
在步驟c中,所述的油浴鍋的溫度控制在180℃,反應時間15min為最佳條件。
所述的葡萄糖的加入量以2..0?g為為佳。
所述的溶液在反應釜中反應時間為7?h時,效果最佳。
附圖說明
圖1為本發明碳包裹氧化錫中空納米刺球中單質錫的X射線衍射譜圖。?
圖2為本發明碳包裹氧化錫中空納米刺球中SnO2@C的X射線衍射譜圖。
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