[發明專利]一種熒光離子印跡探針的制備及其應用有效
| 申請號: | 201410565890.0 | 申請日: | 2014-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN104292381A | 公開(公告)日: | 2015-01-21 |
| 發明(設計)人: | 鄭旭東;李春香;潘建明;戴江棟;高林;衛瀟 | 申請(專利權)人: | 江蘇大學 |
| 主分類號: | C08F220/06 | 分類號: | C08F220/06;C08F222/14;C08F2/44;C08J9/28;C09K11/06;C09K11/02;G01N21/64 |
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| 地址: | 212013 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 熒光 離子 印跡 探針 制備 及其 應用 | ||
1.一種熒光離子印跡探針的制備方法的制備方法,其特征在于,按以下步驟進行:
(1)取氯化銪、1,10-鄰菲羅啉、噻吩甲酰三氟丙酮溶于乙醇中,磁力攪拌均勻后,滴加濃氨水,調節pH,溶液變渾濁;繼續攪拌,離心,洗滌,得到Eu(????????????????????????????????????????????????)配合物;
其中,所述氯化銪、1,10-鄰菲羅啉、噻吩甲酰三氟丙酮的摩爾比為1:1.5:1~1:1:1;
(2)將步驟(1)得到的Eu()配合物超聲溶解于適量的DMF溶液中,然后將溶解的溶液倒入乙醇溶液,再向混合溶液中滴加正硅酸四乙酯形成溶液A;氨水、乙醇、蒸餾水形成的混合溶液稱為溶液B;將全部的溶液A迅速倒入溶液B中,磁力攪拌;反應完成后離心,洗滌,得到Eu(III)@SiO2;
其中,所述溶液A中Eu()配合物的濃度為3~4?g/L,DMF與乙醇的體積比為1:5;TEOS的在溶液A中體積分數為3%~5%;所述溶液B中氨水的體積分數為4%~5%,乙醇和水的體積比為14:5;
(3)將步驟(2)得到的熒光材料分散于乙腈中,加入甲基丙烯酸、二甲基丙烯酸乙二醇酯、CuCl2,自組裝,然后加入偶氮二異丁氰聚合,得到印跡熒光探針;
其中,所得最終整個混合溶液中,Eu(III)@SiO2的濃度為3~4?g/L,MAA的濃度10~20?mmol/L,EGDMA的體積百分數為4.7~5.3%,Cu2+的濃度為3~5?mmol/?L,AIBN的濃度為3~6.5?mmol/L;
(4)將步驟(3)得到的印跡熒光探針用EDTA稀溶液作浸提液,采用索氏提取將模板分子去除,直到模板分子無法通過紫外-可見分光光度計檢測出來,產品在真空干燥箱中烘干。
2.根據權利要求1所述的一種熒光離子印跡探針的制備方法的制備方法,其特征在于,步驟(1)中所述調節pH為7;所述攪拌時間為2?h。
3.根據權利要求1所述的一種熒光離子印跡探針的制備方法的制備方法,其特征在于,步驟(2)中反應時間為2?h。
4.根據權利要求1所述的一種熒光離子印跡探針的制備方法的制備方法,其特征在于,步驟(3)中所述自組裝為氮氣保護條件下,40℃下自組裝6?h;所述聚合為60℃下聚合?24?h。
5.根據權利要求1所述的一種熒光離子印跡探針的制備方法的制備方法,其特征在于,步驟(4)中所述的浸提液中,EDTA溶液的濃度為0.01?M;所述烘干溫度為60?℃。
6.根據權利要求1所述的一種熒光離子印跡探針的制備方法的制備方法,其特征在于,所制備的印跡熒光探針應用于檢測環境中水樣的Cu2+。
7.根據權利要求6所述的一種熒光離子印跡探針的制備方法的制備方法,其特征在于,?所述的印跡熒光探針檢測環境中水樣的Cu2+?含量的方法為:
?(1)?準確稱取等量的印跡熒光探針和和非印跡熒光探針配置成溶液;
(2)?取CuCl2用蒸餾水配置成一系列0~100?μmol/L配置成混合標準液,取10?mL配制好的溶液加入到比色管中,再各加入1mL印跡熒光探針和非印跡探針,在25?oC震蕩均勻十分鐘后,使用熒光分光光度計測定其熒光強度;
?(3)如果初始的熒光強度為I0,加入后的熒光強度為I,則熒光猝滅的量跟Cu2+的濃度在一定的范圍內成線性關系,可以通過I0--I來測量Cu2+的濃度。
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