[發明專利]聲音傳感器的制備方法有效
| 申請號： | 201410563735.5 | 申請日： | 2014-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN105530577B | 公開（公告）日： | 2019-07-02 |
| 發明（設計）人： | 劉煉;李衛剛;鄭超;王偉;郭亮良 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H04R19/04 | 分類號： | H04R19/04;H04R31/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 聲音 傳感器 制備 方法 | ||
1.一種聲音傳感器的制備方法，包括：
提供一基底；
在所述基底上形成一第一犧牲層，所述第一犧牲層為具有一犧牲層開口的環形結構，所述第一犧牲層的材料為可通過濕法刻蝕去除的材料；
形成一第二犧牲層，所述第二犧牲層覆蓋所述犧牲層開口以及至少部分所述第一犧牲層，所述第二犧牲層的材料為可通過灰化工藝去除的材料；
在所述第二犧牲層上依次形成一振動電極、第三犧牲層、固定電極膜以及保護層，所述第三犧牲層的材料為可通過灰化工藝去除的材料，所述保護層密封所述固定電極膜、第三犧牲層、第二犧牲層以及第一犧牲層；
選擇性地刻蝕所述保護層以及固定電極膜，形成一固定電極以及聲音孔，所述聲音孔露出部分所述第三犧牲層；
選擇性地刻蝕所述基底，形成一基底開口，所述基底開口露出所述犧牲層開口以及至少部分所述第一犧牲層；
采用第一濕法刻蝕工藝去除所述第一犧牲層，其中所述第一濕法刻蝕工藝的刻蝕液通過所述基底開口刻蝕所述第一犧牲層；以及
在去除所述第一犧牲層之后，采用灰化工藝去除所述第二犧牲層以及第三犧牲層，形成聲音傳感器，其中所述灰化工藝的氣體通過所述基底開口去除所述第二犧牲層和所述第三犧牲層。
2.如權利要求1所述的聲音傳感器的制備方法，其特征在于，所述第一犧牲層的材料為多晶硅。
3.如權利要求2所述的聲音傳感器的制備方法，其特征在于，所述基底的材料為硅，采用第二濕法刻蝕工藝選擇性地刻蝕所述基底。
4.如權利要求3所述的聲音傳感器的制備方法，其特征在于，所述第二濕法刻蝕工藝與第一濕法刻蝕工藝的工藝條件相同。
5.如權利要求1-4中任意一項所述的聲音傳感器的制備方法，其特征在于，所述聲音傳感器的制備方法還包括：形成一圍繞所述第一犧牲層的基座部分，所述保護層還覆蓋所述基座部分，所述基座部分與所述第一犧牲層通過所述保護層相隔離。
6.如權利要求1所述的聲音傳感器的制備方法，其特征在于，所述第二犧牲層和第三犧牲層的材料均為無定形碳。
7.如權利要求6所述的聲音傳感器的制備方法，其特征在于，所述灰化工藝的氣體包括氧氣。
8.如權利要求1所述的聲音傳感器的制備方法，其特征在于，所述保護層的材料為氮化硅。
9.如權利要求1所述的聲音傳感器的制備方法，其特征在于，所述振動電極和固定電極的材料均為多晶硅。
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