[發(fā)明專利]集成電路元件及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410562906.2
• 申請(qǐng)日: 2014-10-21
• 公開（公告）號(hào): CN105280620A
• 公開（公告）日: 2016-01-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳邇浩;林哲歆;顧子琨
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院
• 主分類號(hào): H01L25/00
• 分類號(hào): H01L25/00;H01L21/50
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;祁建國

1.一種集成電路元件，其特征在于，包括：

第一基板，包含第一圖案化金屬層；

第二基板，堆疊于該第一基板上，該第二基板包含：

半導(dǎo)體材料層；

第一介電層；

第二圖案化金屬層；以及

第二介電層；

其中該第二圖案化金屬層位于該第一介電層與該第二介電層之間，且該第二圖案化金屬層與該第一圖案化金屬層具有重疊區(qū)域；

導(dǎo)電通路，位于該重疊區(qū)域，至少貫穿該第二基板與該第二圖案化金屬層，以電性連接該第二圖案化金屬層與該第一圖案化金屬層；以及

絕緣層，位于該導(dǎo)電通路與該半導(dǎo)體材料層之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1項(xiàng)所述的集成電路元件，其特征在于，更包括黏接層介于該第一基板與該第二基板之間，且該導(dǎo)電通路進(jìn)一步貫穿該黏接層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路元件，其特征在于，該第二介電層連接該第一基板。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路元件，其特征在于，該半導(dǎo)體材料層連接該第一基板。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路元件，其特征在于，該第一圖案化金屬層位于該第一基板中，該導(dǎo)電通路進(jìn)一步貫穿部分的該第一基板，以電性連接至該第一圖案化金屬層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路元件，其特征在于，該絕緣層包括氧化物或氮化物。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路元件，其特征在于，該絕緣層包括聚合物。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路元件，其特征在于，更包括阻障層包覆該導(dǎo)電通路，以及種子層包覆該阻障層。

9.一種集成電路元件的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一基板，該第一基板包含第一圖案化金屬層；

堆疊第二基板于該第一基板上，該第二基板包含半導(dǎo)體材料層、第一介電層、第二圖案化金屬層及第二介電層，該第二圖案化金屬層位于該第一介電層與該第二介電層之間，且該第二圖案化金屬層與該第一圖案化金屬層具有重疊區(qū)域；

形成第一穿孔于該重疊區(qū)域，該第一穿孔貫穿該半導(dǎo)體材料層；

形成絕緣層于該第一穿孔的側(cè)壁上；

形成第二穿孔于該重疊區(qū)域，該第二穿孔貫穿該第一介電層、該第二圖案化金屬層、及該第二介電層的，且該第二穿孔連通該第一穿孔；以及

充填導(dǎo)體材料于該第一穿孔與該第二穿孔之中。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路元件的制造方法，其特征在于，更包括：形成黏接層于該第一基板與該第二基板之間；其中該第二穿孔進(jìn)一步貫穿該黏接層。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路元件的制造方法，其特征在于，該第二穿孔形成于該第一穿孔之下。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路元件的制造方法，其特征在于，該第一穿孔形成于該第二穿孔之下。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路元件的制造方法，其特征在于，該第二穿孔進(jìn)一步貫穿部分的該第一基板。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路元件的制造方法，其特征在于，該絕緣層包括氧化物、氮化物、或聚合物。

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路元件的制造方法，其特征在于，更包括：

形成阻障層及種子層于該第一穿孔與該第二穿孔的側(cè)壁上。

16.一種集成電路元件的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一基板，該第一基板包含第一圖案化金屬層；

堆疊第二基板于該第一基板上，該第二基板包含半導(dǎo)體材料層、第一介電層、第二圖案化金屬層及第二介電層，該第二圖案化金屬層位于該第一介電層與該第二介電層之間，且該第二圖案化金屬層與該第一圖案化金屬層具有重疊區(qū)域；

形成穿孔于該重疊區(qū)域，該第穿孔貫穿該第一介電層、該第二圖案化金屬層、該第二介電層、及該半導(dǎo)體材料層；

形成絕緣層于該半導(dǎo)體材料層的側(cè)壁上；以及

充填導(dǎo)體材料于該穿孔之中。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的集成電路元件的制造方法，其特征在于，更包括：形成黏接層于該第一基板與該第二基板之間；其中該穿孔進(jìn)一步貫穿該黏接層。