[發明專利]防塵薄膜組件有效
| 申請號: | 201410562748.0 | 申請日: | 2014-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN104570590B | 公開(公告)日: | 2019-07-12 |
| 發明(設計)人: | 關原一敏 | 申請(專利權)人: | 信越化學工業株式會社 |
| 主分類號: | G03F1/62 | 分類號: | G03F1/62 |
| 代理公司: | 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇;王博 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 防塵 薄膜 組件 | ||
本發明的目的,是提供一種利用減小了寬度的框架來確保更大的曝光面積,并且在防塵薄膜組件的制作、運輸過程中不發生框架的變形及起皺問題,從而能夠以所期望的尺寸精度將防塵薄膜粘貼于光掩模上的防塵薄膜組件。本發明的防塵薄膜組件的特征在于,其為至少一對邊長是大于500mm的矩形的防塵薄膜組件,在至少一對相對邊的以邊長的40~80%的邊中心為中心的區域,該框架的寬度通過使框架的內側壁凹陷而變細,并且該變細的區域的框架寬度為3mm以上6mm以下。
技術領域
本發明涉及作為在制造半導體器件、IC封裝、印刷電路板、液晶顯示器或有機EL顯示器等時的防塵器使用的防塵薄膜組件,涉及其邊長大于500mm的大型防塵薄膜組件。
背景技術
在LSI、超LSI等的半導體或液晶顯示器等的制造過程中,通過向半導體晶片或液晶用玻璃板上照射紫外線光來制作圖案,但此時存在一個問題,即如果在所使用的光掩模上附著有灰塵的話,由于這種灰塵遮擋或反射紫外線光,會導致轉印的圖案發生變形或短路,從而使質量受損。
由于這個緣故,這些作業通常是在無塵室內進行的,但盡管如此,要保持光掩模時常清潔也是困難的。因此,通常是在光掩模的表面粘貼一個作為防塵器的防塵薄膜組件之后進行曝光。這種情況下,異物不直接附著于光掩模的表面而是附著于防塵薄膜組件上,所以,在進行光刻時只要把焦點對準光掩模的圖案上,防塵薄膜組件上的異物便與轉印無關。
一般而言,上述防塵薄膜組件通過在由鋁、不銹鋼等構成的框架的上端表面上粘貼或膠合由透光性良好的硝化纖維素、醋酸纖維素或氟樹脂等構成的透明的防塵薄膜而構成,在框架的下端表面設有用于安裝于光掩模的由聚丁烯樹脂、聚醋酸乙烯樹脂、丙烯酸樹脂、有機硅樹脂等構成的粘合層及以保護粘合層為目的的離型層(分離層)。
因為防塵薄膜通常為薄樹脂,所以為了將其不產生松弛地粘貼并支撐于框架上,將對框架施加適當大小的張力。因此,對于通常所使用的矩形防塵薄膜組件而言,粘貼了防塵薄膜之后的框架,會因防塵薄膜的張力作用略微產生向內側的翹曲。這種現象,除了在例如印刷電路板、液晶顯示器制造中所使用的框架邊長大的大型防塵薄膜組件以外,即使在半導體制造用的小型防塵薄膜組件中,由于材質或尺寸上的限制而采用低剛性的框架的防塵薄膜組件的情況下也很明顯。
另一方面,對于光掩模而言,出于低成本化的目的,要求盡可能確保曝光的區域,若不盡可能地減小如上所述的向框架內側的翹曲,則存在可利用的曝光區域減小的問題。因此,若能夠開發一種盡可能抑制翹曲量并且寬度更窄的框架使內側的可曝光面積擴大的話,成本降低效果必定很大。
然而,在實際當中,光掩模及防塵薄膜組件的外尺寸是根據曝光機而規定了的。例如,防塵薄膜組件的外形一般從光掩模的外形扣除光掩模的支撐區域、操作時所使用的區域等,設計為距外尺寸5~30mm左右被內側的尺寸。這樣的設計不僅是考慮曝光機,而是以檢驗機和防塵薄膜組件安裝裝置等與曝光工序相關的所有裝置的設計為前提的,因此,要變更這種設計實際上很困難。
因此,一直以來,人們一直在努力探討實現更大的曝光區域的辦法。例如,專利文獻1中記載了一種使短邊的框架寬度比長邊細的大型防塵薄膜組件用框體,不過,在例如邊長超過1000mm的特大型的框架的情況下,由于該框體難于維持剛性,故存在不能適用于大型框架的問題。另外,這中框體雖然可適用于短邊,但對于長邊,由于框架發生翹曲無法使其變細,因此存在無法向短邊方向擴大曝光區域的問題。
作為解決這種翹曲的方法,例如,專利文獻2中記載了一種如下的防塵薄膜組件框架,即,在框體的至少一對的邊上,具有中央部向外側凸出的圓弧形狀部,在其兩側具有外側凹陷的圓弧形狀部,再往外側具有直線形狀部。據說通過這種形狀的防塵薄膜組件框架,能夠防止由防塵薄膜的張力引起的向框架內側的翹曲,進而可防止曝光區域的減小,不過,這個效果僅僅限于能夠通過適當的設計而將防塵薄膜組件框架的翹曲量控制在一定值以下的情況。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





