[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201410559714.6
• 申請日: 2014-10-20
• 公開（公告）號: CN104393000B
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發明（設計）人: 樓均輝;霍思濤;吳勇
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 劉松

本發明公開了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，用以減少工藝步驟，從而降低生產成本，提高生產效率。所述陣列基板包括襯底基板，設置在所述襯底基板上的薄膜晶體管、與每個薄膜晶體管的源極/漏極連接的數據線，以及位于襯底基板上的遮光層，其中，所述數據線與所述遮光層位于同一層，在所述數據線上方設置有第一過孔以暴露部分所述數據線，所述薄膜晶體管包括半導體有源層和第一透明電極，在所述半導體有源層上方設置有第二過孔以暴露部分所述半導體有源層，所述第一透明電極通過所述第一過孔和所述第二過孔將所述數據線與所述半導體有源層電連接。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術

目前，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等優點，在當前的平板顯示器市場占據了主導地位，控制各像素開關的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)按其結構可以分為：頂柵型TFT和底柵型TFT。和底柵型TFT相比，頂柵型TFT結構能夠大幅度減小源漏電極和柵極間的寄生電容，從而減少負載(loading)，降低柵驅動電路尺寸，進而減小顯示面板的邊框。

如圖1所示，現有技術中的頂柵型TFT陣列基板包括：襯底基板10，形成在襯底基板10上的遮光層11，形成在遮光層11上的緩沖層12，形成在緩沖層12上的半導體有源層13，形成在半導體有源層13上的柵極絕緣層14，形成在柵極絕緣層14上的柵電極15，形成在柵電極15上的第一絕緣層16，形成在第一絕緣層16上的源極17、漏極18、以及數據線(圖中未示出)，形成在漏極18上并與漏極18電連接的像素電極19，形成在像素電極19上的鈍化層110，形成在鈍化層110上的公共電極111。像素電極19和公共電極111組成電容，形成水平電場，使液晶分子有規律的進行偏轉，而TFT晶體管就是這個電容充放電的開關，柵線和數據線則為開關的開啟提供電壓，具體的，柵線用于提供TFT顯示所需的行掃描信號，數據線用于提供TFT顯示所需的源信號。

綜上所述，現有技術由于頂柵型TFT陣列基板中的半導體有源層對光敏感，所以為了避免外界光影響TFT特性，需要在緩沖層下方制作一層遮光層以阻擋外界光線，該遮光層選用不透光材料，通常選用金屬材料。現有技術中的頂柵型TFT陣列基板至少需要用到遮光層、柵電極層和源、漏電極層三層金屬層，在制作過程中分別對應三次金屬成膜工藝和三道金屬掩膜(mask)工藝，生產工藝時間較長，成本較高。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

一種陣列基板，包括襯底基板，設置在所述襯底基板上的薄膜晶體管、與每個薄膜晶體管的源極/漏極連接的數據線，以及位于襯底基板上的遮光層，其中，所述數據線與所述遮光層位于同一層，在所述數據線上方設置有第一過孔以暴露部分所述數據線，所述薄膜晶體管包括半導體有源層和第一透明電極，在所述半導體有源層上方設置有第二過孔以暴露部分所述半導體有源層，所述第一透明電極通過所述第一過孔和所述第二過孔將所述數據線與所述半導體有源層電連接。

一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

一種陣列基板的制作方法，包括在襯底基板上形成薄膜晶體管和數據線，所述薄膜晶體管包括半導體有源層和第一透明電極層，其中：

采用第一次構圖工藝在襯底基板上形成遮光層和所述數據線；在所述數據線上方形成第一過孔以暴露部分數據線，在半導體有源層上方形成第二過孔以暴露部分所述半導體有源層；

將暴露的所述數據線與暴露的所述半導體有源層通過第一透明電極電連接。

本發明提供的一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置至少達到如下的技術效果之一：