[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201410559714.6
• 申請日: 2014-10-20
• 公開（公告）號: CN104393000B
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發明（設計）人: 樓均輝;霍思濤;吳勇
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 劉松

1.一種陣列基板，包括襯底基板，設置在所述襯底基板上的薄膜晶體管、與每個薄膜晶體管的源極/漏極連接的數據線，以及位于襯底基板上的遮光層，其中，所述數據線與所述遮光層位于同一層，在所述數據線上方設置有第一過孔以暴露部分所述數據線，所述薄膜晶體管包括半導體有源層和第一透明電極，在所述半導體有源層上方設置有第二過孔以暴露部分所述半導體有源層，所述第一透明電極通過所述第一過孔和所述第二過孔將所述數據線與所述半導體有源層電連接；

所述半導體有源層為氧化物半導體層有源層；所述第一透明電極的材料為氧化銦錫，或氧化銦錫和氧化銦鋅的復合膜；

在所述遮光層與半導體有源層之間設置有緩沖層，在所述半導體有源層上依次設置有柵極絕緣層、柵電極、第一絕緣層和第一透明電極，且所述柵極絕緣層僅位于所述柵電極的下方；

所述第一過孔貫穿所述緩沖層和所述第一絕緣層，所述第二過孔貫穿所述第一絕緣層；

所述半導體有源層上方還設置有第三過孔以暴露部分所述半導體有源層，所述第一透明電極包括像素電極，所述像素電極通過所述第三過孔與所述半導體有源層電連接。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光層和所述數據線的材料為金屬鉬Mo。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述源極/漏極與所述第一透明電極位于同一層且電連接。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括位于所述第一透明電極上方的鈍化層以及位于該鈍化層上的公共電極。

5.一種顯示裝置，其特征在于，所述裝置包括權利要求1-4任一項所述的陣列基板。

6.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

采用第一次構圖工藝在襯底基板上形成遮光層和數據線；

在形成有所述遮光層和所述數據線的襯底基板上依次形成緩沖層、半導體有源層、柵極絕緣層、柵電極、第一絕緣層和第一透明電極，且所述柵極絕緣層僅位于所述柵電極的下方；

刻蝕所述第一絕緣層和所述緩沖層，形成第一過孔以暴露部分數據線，僅刻蝕所述第一絕緣層第二過孔以暴露部分所述半導體有源層，其中所述半導體有源層為氧化物半導體層有源層；

在所述半導體有源層的上方形成第三過孔；

在所述第一絕緣層上沉積第一透明電極，所述第一透明電極通過所述第一過孔和所述第二過孔將所述數據線與所述半導體有源層電連接；

其中，所述第一透明電極包括像素電極，所述像素電極通過所述第三過孔與所述半導體有源層電連接；

所述第一透明電極的材料為氧化銦錫，或氧化銦錫和氧化銦鋅的復合膜。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述采用第一次構圖工藝在襯底基板上形成遮光層和所述數據線，包括：

在襯底基板上沉積金屬層；

在所述金屬層上涂覆光刻膠，并對所述光刻膠進行曝光及顯影，刻蝕沒有被所述光刻膠覆蓋的所述金屬層；

去除剩余所述光刻膠，形成所述遮光層和所述數據線。