[發(fā)明專利]晶圓裂片裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410559484.3 | 申請日: | 2014-10-20 |
| 公開(公告)號: | CN104409386A | 公開(公告)日: | 2015-03-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 孫耀 | 申請(專利權)人: | 上海技美電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海脫穎律師事務所 31259 | 代理人: | 李強 |
| 地址: | 201100 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裂片 裝置 | ||
本發(fā)明公開了一種晶圓裂片裝置,其特征在于,包括支撐臺;所述支撐臺的形狀與晶圓的形狀相適應;所述支撐臺開設有至少一個第一凹槽;每個所述第一凹槽均與至少一個抽真空管連通。本發(fā)明中的晶圓裂片裝置,可避免與繃膜框發(fā)生碰撞,無需在晶圓裂片前將晶圓轉移至更大內(nèi)徑的繃膜框上,工藝得到簡化,生產(chǎn)效率提高。同時節(jié)省了粘附晶圓用薄膜的使用量,生產(chǎn)成本降低。
技術領域
本發(fā)明涉及晶圓裂片技術,特別涉及一種晶圓裂片裝置。
背景技術
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓。在晶圓上可加工制作成各種電路元件結構,通常將具有電路元件結構的面稱為正面,與之相對的面即稱為背面。在晶圓加工過程中,為了各種用途常需要將晶圓粘附在一晶圓承載框。如圖1和2所示,晶圓承載框包括繃膜框01和薄膜02,薄膜02粘附在繃膜框01上。薄膜02具有一定的張力,晶圓03粘附在薄膜02上。對整塊晶圓03進行切割時,一般采用激光切割代替機械刀具切割,因為機械刀具切割晶圓的刀痕寬,激光切割的刀痕窄,激光切割可提高晶圓的利用率。機械刀具切割晶圓時還會產(chǎn)生碎屑,而激光切割不會產(chǎn)生碎屑,可提高切割品質。但激光切割的切割深度越深,對激光發(fā)射器的損耗越大,所以在采用激光切割晶圓時,一般不切透晶圓,形成縱向裂痕041和橫向裂痕042,將晶圓03切割為多個塊狀晶圓031。再利用裂片裝置使各塊狀晶圓031相互分離。
因為激光切割晶圓時并未將晶圓完全切透,所以需要增加對晶圓進行裂片的操作,使晶圓03在縱向劃痕041或橫向裂痕042處斷裂,分離成多個塊狀晶圓031。現(xiàn)有的裂片操作通常采用裂片機完成。如圖3所示,裂片機包括用于夾持繃膜框01的基座05、用于劈裂晶圓的劈刀06。具體地,采用裂片機對晶圓03進行裂片時,利用劈刀06對準晶圓03的縱向裂痕041和橫向裂痕042施加沖擊,使晶圓03裂開。
本發(fā)明人發(fā)現(xiàn),采用上述裂片機對晶圓03進行裂片時,由于縱向裂痕041和橫向裂痕042均為直線。因此,劈刀06為直線型形狀。而由于晶圓03為圓形,繃膜框01的內(nèi)圓也是圓形。在不同的位置,晶圓03的直線長度是不同的,約靠近邊緣,晶圓的徑向直線長度越小,約靠近圓心,晶圓的徑向直線長度越大。劈刀06的長度通常按照于晶圓03的直徑生產(chǎn),才能使劈刀06滿足晶圓03上所有縱向裂痕041的長度要求。這樣就導致采用長度不小于晶圓03直接的劈刀06沖擊遠離晶圓03圓形的縱向裂痕041時,劈刀06會與繃膜框01發(fā)生碰撞(如圖4所示),無法與晶圓03接觸進行裂片。為了避免這一問題,必須增大繃膜框01的內(nèi)徑。如行業(yè)內(nèi)一般采用8寸(內(nèi)徑為200mm)的繃膜框01承載6寸(直徑為150mm)的晶圓03,為避免劈刀06與繃膜框01放生碰撞,需要將6寸的晶圓03轉移至12寸(內(nèi)徑為300mm)的繃膜框01上。工藝繁瑣,對用于粘附晶圓03的薄膜02也是極大的浪費。
采用上述裂片機裂片時還存在以下問題:使劈刀06在被沖擊的情況下依次沖擊晶圓03的每個縱向裂痕041和橫向裂痕,導致整個裂片工作用時長,裂片的效率低,較難進行大規(guī)模生產(chǎn);同時,擊錘擊打的力度無法調整,使得劈刀06對晶圓03的沖擊力較難掌控。沖擊力過小,會導致晶圓03無法裂開。沖擊力過大,又會導致晶圓03發(fā)生崩裂損傷等情況,裂片的良品率低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術中的不足,提供一種可簡化工藝的晶圓裂片裝置。
為實現(xiàn)以上目的,本發(fā)明通過以下技術方案實現(xiàn):
晶圓裂片裝置,其特征在于,包括支撐臺和抽真空裝置;所述支撐臺開設有多個第一凹槽;所述第一凹槽與抽真空裝置連通;所述抽真空裝置用于將所述第一凹槽內(nèi)抽真空。
優(yōu)選地是,所述支撐臺的形狀大小與待裂片的晶圓的形狀大小相適應。
優(yōu)選地是,所述第一凹槽的槽底呈弧形。
優(yōu)選地是,所述支撐臺還開設有多個第二凹槽;每個所述第二凹槽設置在一個所述第一凹槽一側;所述第二凹槽與抽真空裝置連通。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





