[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410559315.X
• 申請(qǐng)日: 2014-10-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105590893A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張先明;李志超;丁敬秀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/538
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：

步驟S1：提供器件晶圓，在所述器件晶圓的背面形成有硅通孔，其中所 述硅通孔中的導(dǎo)電材料選用金屬銅；

步驟S2：對(duì)所述器件晶圓進(jìn)行背部研磨，以露出所述硅通孔的頂部；

步驟S3：在露出的所述硅通孔的頂部進(jìn)行置換反應(yīng)，以將所述硅通孔頂 部的所述金屬銅置換為金屬銀，形成銀覆蓋層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S3中，所述 銀覆蓋層的厚度為10-100nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S3中，形成 所述銀覆蓋層之后，所述硅通孔的厚度不變。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S3中，選用 可溶性銀鹽和所述金屬銅發(fā)生置換反應(yīng)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，所述 器件晶圓的正面還形成有載片晶圓。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S3之后，所 述方法還包括：

步驟S4：回蝕刻所述器件晶圓的背面，以露出部分所述硅通孔；

步驟S5：沉積介電層，以覆蓋所述器件晶圓的背面和露出的所述硅通孔；

步驟S6：平坦化所述介電層至所述銀覆蓋層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4中，回蝕 刻所述器件晶圓的背面至所述銀覆蓋層4-6um以下。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法還進(jìn)一步包括：

步驟S7：保留所述銀覆蓋層，并在所述器件晶圓的背面進(jìn)行晶圓鍵合和 /或堆疊的工藝。

9.一種基于權(quán)利要求1至8之一所述方法制備得到的半導(dǎo)體器件。

10.一種電子裝置，包括權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件。