[發明專利]攝像頭內微米級異物提取裝置及提取分析方法

無效

• 申請號: 201410557067.5
• 申請日: 2014-10-20
• 公開（公告）號: CN104266859A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發明（設計）人: 李朝玲
• 申請（專利權）人: 三星高新電機（天津）有限公司
• 主分類號: G01N1/02
• 分類號: G01N1/02;G01N23/00
• 代理公司: 天津市三利專利商標代理有限公司 12107
• 代理人: 韓新城

技術領域

本發明屬于微米級異物提取技術領域，具體涉及一種攝像頭內微米級異物提取裝置及提取分析方法。

背景技術

目前，隨著制造技術的日臻完善以及市場需求，攝像頭的更新速度不斷加快，像素越來越高，制品向著精密化方向發展。因此，攝像頭中異物控制要求也越來越嚴格，微米級異物對攝像頭品質的影響已經成為主流。

由于EDS成分分析時電子束存在一定的擊穿深度，而異物尺寸較小，因此分析結果中會包含大量的基底(如傳感器Sensor，紅外濾光片IR-Fliter)等信息，或者用毛細管拉制的玻璃針，成分與異物成分存在較多重合元素，不能準確判定異物成分從而推測其來源，成為指導工程改善的一大壁壘。目前，還沒有分析微米級異物成分的方法。

發明內容

本發明的目的是針對現有技術中存在的技術缺陷而提供一種攝像頭內微米級異物提取裝置以及提取分析方法。

為實現本發明的目的所采用的技術方案是：

一種攝像頭內微米級異物提取裝置，包括提取裝置以及固定于所述提取裝置上的鎢針，所述鎢針的尖端曲率半徑為90～110nm。

作為技術上的改進，所述鎢針的尖端曲率半徑為100nm。

優選的，所述鎢針的純度為99.99％，

本發明的目的還在于提供一種攝像頭內微米級異物提取分析方法，采用所述攝像頭內微米級異物提取裝置進行，具體包括以下步驟：

在金相顯微鏡下，利用物理吸附法用所述攝像頭內微米級異物提取裝置對攝像頭內微米級異物進行提取；

將表面吸附異物的鎢針置于掃描電鏡SEM樣品臺上進行噴金處理；

將噴金處理后表面吸附異物的鎢針置于掃描電鏡SEM設備中；

利用X-射線能譜儀EDS對異物進行成分分析，將結果中W元素扣除，得到真實的異物成分。

本發明攝像頭內微米級異物提取裝置由于采用鎢針，不但能利用物理吸附原理有效吸附待分析的異物，而且由于鎢針的鎢元素與異物成分不同，因而能有效將提取吸附分析過程中混雜其中的鎢元素與異物中的成分區別開來，因而可以實現將EDS分析時的基底信息完全扣除，更能有效得到真實異物成分結果，其可以方便、快速、準確地測定攝像頭內異物成分，推測出異物源，指導工程改善，保證所生產的攝像頭組立品潔凈度滿足實際使用需要，進而保證所生產的制品的品質。

附圖說明

圖1所示為本發明實施例提供的一種攝像頭內微米級異物提取裝置的結構示意圖；

圖2A為待提取異物在攝像頭傳感器(Sensor)上的電子圖像；

圖2B為將異物提取到鎢針上的電子圖像；

圖3為將吸附有異物的鎢針置于SEM中進行EDS分析的電子圖像。

具體實施方式

下面，結合實例對本發明的實質性特點和優勢作進一步的說明，但本發明并不局限于所列的實施例。

請參閱圖1，一種攝像頭內微米級異物提取裝置，包括提取裝置20以及固定于所述提取裝置上的鎢針10，所述鎢針的尖端曲率半徑為90～110nm。

所述的提取裝置20為市購器件，對此不再進行詳細說明。

作為技術上的改進，所述鎢針的尖端曲率半徑為100nm。

優選的，所述鎢針可以采用電化學腐蝕原理制備，要求純度達到99.99％，具體可以利用電化學腐蝕純度為99.99％的鎢絲方法制備，制備完成后固定在提取裝置20上，并保證其穩定，以便在異物提取過程中不發生晃動。由于鎢針半徑和提取裝置20的安裝孔的內徑存在一定差異，兩者之間用雙面膠固定，保證鎢針在提取裝置20中的穩定性。

本發明的目的還在于提供一種攝像頭內微米級異物提取分析方法，采用所述攝像頭內微米級異物提取裝置進行，具體包括以下步驟：

在金相顯微鏡下，利用物理吸附法用所述攝像頭內微米級異物提取裝置對攝像頭內微米級異物進行，使異物吸附在鎢針表面；

將表面吸附異物的鎢針置于掃描電鏡SEM樣品臺上，并保持吸附異物的方向垂直向上后進行噴金處理；

將噴金處理后表面吸附異物的鎢針置于掃描電鏡SEM設備中，找到異物；

利用X-射線能譜儀EDS對異物進行成分分析，將結果中W元素扣除，得到真實的異物成分，并推測異物成分來源。

通過圖2A-B所示，在金相顯微鏡下對攝像頭傳感器(Sensor)上的異物進行提取，并在利用X-射線能譜儀(EDS)對異物進行成分分析，分析結果如下：