[發明專利]一種用于去除方形基片光刻蝕過程中邊緣堆膠的夾具及方法有效
| 申請號: | 201410554393.0 | 申請日: | 2014-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN104362123B | 公開(公告)日: | 2017-07-11 |
| 發明(設計)人: | 王進;馬子騰;許延峰 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第四十一研究所 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 去除 方形 基片光 刻蝕 過程 邊緣 夾具 方法 | ||
技術領域
本發明涉及集成電路工藝技術領域,特別涉及一種用于去除方形基片光刻蝕過程中邊緣堆膠的夾具,還涉及一種用于去除方形基片光刻蝕過程中邊緣堆膠的方法。
背景技術
光刻工藝在整個薄膜電路制作工藝過程中的工序繁雜性,使得光刻技術的穩定性、可靠性和工藝成品率對產品的質量、成品率和成本有著重要影響。所以,對光刻工藝的穩定性進行研究對保證產品質量有著重要的意義。而光刻膠的涂覆作為光刻工藝的第一步,直接影響著后續工藝和最終圖形的質量。涂膠的目的是在基片表面建立薄的、均勻的、并且沒有缺陷的光刻膠膜。常用的光刻膠涂覆方法有噴淋涂覆和旋涂涂覆。噴淋涂覆在涂膠勻性、平整度及效率等方面都要遜于旋涂涂覆。因此目前行業中薄膜電路制作主要采用旋涂涂覆的方式來實現光刻膠的涂覆。
旋轉涂膠一般先用吸盤吸附基片,然后把幾立方厘米的光刻膠滴在基片的中心先低速攤膠,直到光刻膠覆蓋了基片的大部分。然后使吸盤會很快的加速到一個事先定好的速度。在加速過程中,離心力會使光刻膠向基片邊緣部擴散并且甩走多余的光刻膠,只把平整均勻的光刻膠薄膜留在基片表面。在光刻膠被分散開之后,高速旋轉還會維持一段時間以便使光刻膠干燥。同樣旋涂涂覆也存在一重大缺陷,就是基片邊緣堆膠問題。涂膠后基片邊緣會堆積較厚的光刻膠,涂膠轉速越低,光刻膠粘度越高,基片邊緣光刻膠堆積就越嚴重。邊緣堆膠在后續的光刻加工過程中,會帶來光刻掩膜膠版的污染及造成曝光時光衍射等問題,嚴重影響電路加工品質甚至造成制品報廢。
對于圓形基片邊緣堆膠,目前常用的解決方法是在涂膠后,再增加一步去膠液旋轉噴淋的步驟,以去除基片邊緣的堆膠。具體過程如圖1所示,采用旋轉平臺9上的真空吸盤吸附基片8,通過設置在基片邊緣上方位置的去膠滴管1噴淋去膠液2,同時旋轉真空吸盤,這樣去膠液就會帶走基片邊緣的光刻膠11,實現基片邊緣堆膠的去除。
現有方法存在的主要問題是:采用邊緣噴灑去膠液,旋轉去膠的方法對于圓形基片邊緣的去膠效果非常好。但是如果用于方形基片的去膠,就會帶來基片浪費不經濟的問題。由于去膠時基片是做旋轉運動,而去膠滴管固定不變,這樣去膠后就會使方形基片只有中間圓形部分可以利用,造成基片利用率偏的問題。例如直徑為50mm的圓基片和邊長為50mm的方形基片,去膠部分為距離邊緣為1mm,通過計算圓形基片利用率為92.16%,方形基片利用率為72.4%。可以看出,采用此去膠方法,方形基片利用率非常低。這就相應的增加生產成本,降低了經濟效益。
發明內容
本發明的目的是提供一種用于去除方形基片光刻蝕過程中邊緣堆膠的夾具及方法,解決方形基片邊緣堆積光刻膠難以去除的問題。
本發明的技術方案是這樣實現的:
一種用于去除方形基片光刻蝕過程中邊緣堆膠的夾具,包括涂膠機、活動擋板、擋板支架、旋轉平臺、去膠滴管;
所述旋轉平臺頂部固定基片,所述旋轉平臺底部與涂膠機相連,所述擋板支架與旋轉平臺軸相連接;
所述活動擋板位于基片上方并固定在擋板支架上,活動擋板寬度尺寸較基片尺寸少;
所述去膠滴管位于活動擋板上方。
可選地,所述活動擋板位于基片上方,通過擋板支架上加墊墊片調節與基片的距離,使活動擋板與基片距離在0.2mm-0.4mm范圍內。
可選地,所述活動擋板寬度尺寸較基片尺寸少2-4mm,并居中放置在基片上方。
基于上述夾具,本發明還提供了一種用于去除方形基片光刻蝕過程中邊緣堆膠的方法,包括以下步驟:
步驟(101),提供一方形涂膠基片;
步驟(102),把基片吸附在涂膠機旋轉平臺上方;
步驟(103),在基片上方覆蓋活動擋板;
步驟(104),滴去膠液同時轉動旋轉平臺去膠;
步驟(105),旋轉基片90度,再次蓋上擋板;
步驟(106),滴去膠液同時轉動旋轉平臺去膠;
步驟(107),移除活動擋板取下基片。
可選地,所述基片材料為純度99.6%以上的氧化鋁基片或純度98%的氮化鋁基片或石英等薄膜電路常用基片,基片的厚度范圍為:0.1mm~0.65mm。
可選地,所述步驟(102)中,采用真空吸附把基片固定在旋轉平臺上。
可選地,所述步驟(103)中,在方形基片上方覆蓋一矩形活動擋板,擋板的寬度尺寸比基片小2-4mm,居中放置,并用螺母固定在活動擋板支架上,并通過墊片調整與基片的距離,使擋板與基片的距離在0.2-0.4mm范圍內。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





