[發(fā)明專利]一種用于去除方形基片光刻蝕過程中邊緣堆膠的夾具及方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410554393.0
• 申請(qǐng)日: 2014-10-10
• 公開（公告）號(hào): CN104362123B
• 公開（公告）日: 2017-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王進(jìn);馬子騰;許延峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十一研究所
• 主分類號(hào): H01L21/687
• 分類號(hào): H01L21/687
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于去除方形基片光刻蝕過程中邊緣堆膠的夾具，其特征在于，包括涂膠機(jī)、活動(dòng)擋板、擋板支架、旋轉(zhuǎn)平臺(tái)、去膠滴管；

所述旋轉(zhuǎn)平臺(tái)頂部固定基片，所述旋轉(zhuǎn)平臺(tái)底部與涂膠機(jī)相連，所述擋板支架與旋轉(zhuǎn)平臺(tái)軸相連接；

所述活動(dòng)擋板位于基片上方并固定在擋板支架上，活動(dòng)擋板寬度尺寸較基片尺寸小；

所述去膠滴管位于活動(dòng)擋板上方。

2.權(quán)利要求1所述的用于去除方形基片光刻蝕過程中邊緣堆膠的夾具，其特征在于，所述活動(dòng)擋板位于基片上方，通過擋板支架上加墊墊片調(diào)節(jié)與基片的距離，使活動(dòng)擋板與基片距離在0.2mm-0.4mm范圍內(nèi)。

3.權(quán)利要求1所述的用于去除方形基片光刻蝕過程中邊緣堆膠的夾具，其特征在于，所述活動(dòng)擋板寬度尺寸較基片尺寸少2-4mm，并居中放置在基片上方。

4.一種用于去除方形基片光刻蝕過程中邊緣堆膠的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟101，提供一涂膠的方形基片；

步驟102，把基片吸附在涂膠機(jī)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上方；

步驟103，在基片上方覆蓋活動(dòng)擋板；

步驟104，滴去膠液同時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)去膠；

步驟105，旋轉(zhuǎn)基片90度，再次蓋上活動(dòng)擋板；

步驟106，滴去膠液同時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)去膠；

步驟107，移除活動(dòng)擋板取下基片。

5.權(quán)利要求4所述的用于去除方形基片光刻蝕過程中邊緣堆膠的方法，其特征在于，所述基片材料為純度99.6％以上的氧化鋁基片或純度98％的氮化鋁基片或石英薄膜電路常用基片，基片的厚度范圍為：0.1mm～0.65mm。

6.權(quán)利要求4所述的用于去除方形基片光刻蝕過程中邊緣堆膠的方法，其特征在于，所述步驟102中，采用真空吸附把基片固定在旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上。

7.權(quán)利要求4所述的用于去除方形基片光刻蝕過程中邊緣堆膠的方法，其特征在于，所述步驟103中，在方形基片上方覆蓋一矩形活動(dòng)擋板，活動(dòng)擋板的寬度尺寸比基片小2-4mm，居中放置，并用螺母固定在活動(dòng)擋板支架上，并通過墊片調(diào)整與基片的距離，使活動(dòng)擋板與基片的距離在0.2-0.4mm范圍內(nèi)。

8.權(quán)利要求4所述的用于去除方形基片光刻蝕過程中邊緣堆膠的方法，其特征在于，所述步驟104具體為，在活動(dòng)擋板和基片上方噴淋去膠液，同時(shí)通過馬達(dá)帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，使落在基片上的去膠液在離心力的作用下帶走基片邊緣的光刻膠，去除基片AC兩邊邊緣堆膠。

9.權(quán)利要求4所述的用于去除方形基片光刻蝕過程中邊緣堆膠的方法，其特征在于，所述步驟105具體為，移去活動(dòng)擋板，去除真空吸附，取下基片，旋轉(zhuǎn)基片90度，再次吸附基片，加上活動(dòng)擋板。

10.權(quán)利要求4所述的用于去除方形基片光刻蝕過程中邊緣堆膠的方法，其特征在于：所述步驟106具體為，在活動(dòng)擋板和基片上方噴淋去膠液，同時(shí)通過馬達(dá)帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，使落在基片上的去膠液在離心力的作用下帶走基片邊緣的光刻膠，去除基片BD兩邊邊緣堆膠。