[發(fā)明專利]一種集成芯片參考電壓校準方法、裝置及使用方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410550775.6
• 申請日: 2014-10-16
• 公開（公告）號: CN105575837A
• 公開（公告）日: 2016-05-11
• 發(fā)明（設計）人: 操冬華;蘇俊杰;胡勝發(fā)
• 申請（專利權）人: 安凱（廣州）微電子技術有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 曹志霞

技術領域

本發(fā)明實施例涉及電子電路領域，具體涉及一種集成芯片參考電壓校準 方法、裝置及使用方法。

背景技術

參考基準電壓(Voltagereference，VREF)在集成芯片(integratedcircuit， IC)的模擬電路工作上起到重要的作用，其應用比較廣泛，包括：音頻ADC， DAC，開關機電路，充電電路等等，例如帶充電電路的芯片控制充電的過程， 假若它的VREF與理論標準值相差過大，就會導致無法正常充電。由于每顆 出產(chǎn)的芯片在設計產(chǎn)生verf的基準電路上都會存在著生產(chǎn)工藝上的偏差，因 而會導致并非所有IC實際產(chǎn)生的VREF電壓都在可接受的精度范圍之內，因 此需要對IC的VREF進行校正操作。

現(xiàn)有IC的VREF的校正方案，主要是IC外部校正的方法，這種方法需 要在IC上有一個VREF輸入管腳，由所工作的系統(tǒng)外部增加一個精準電源以 及一些外圍電子元器件來給IC的VREF輸入管腳提供一個標準的輸入電壓， 以組成IC校正環(huán)境，然后再對IC的VREF進行校正。這種方法能夠比較精 確地對IC的VREF進行校正，也是現(xiàn)有很多IC生成商所采用的校正方案。

然而由于外部需要增加精準電源和電子元器件，這不僅會導致芯片所在 系統(tǒng)的生產(chǎn)成本及校正工時的增加，也給實際產(chǎn)品的調試帶來不便，調試不 夠靈活；另外從芯片設計的角度看，芯片還需要另外封裝出一些端口來讓精 準電壓輸入，這也會增加芯片的設計和制造成本。

發(fā)明內容

本發(fā)明實施例提供了一種集成芯片參考電壓校準方法、裝置及使用方法， 通過在IC內部增設電子熔絲模塊，并對電子熔絲模塊進行讀寫操作以實現(xiàn)對 IC的參考電壓進行校準的方式，將現(xiàn)有的外部校準方案改成了內部校準方案， 能夠較大地降低IC設計、測試校準及生產(chǎn)制造的成本。

本發(fā)明實施例提供的集成芯片參考電壓校準裝置，包括IC，還包括用于 調節(jié)所述IC參考電壓的電子熔絲模塊；

所述電子熔絲模塊安裝在所述IC內部；

所述電子熔絲模塊包括若干熔斷位；

所述若干熔斷位的組合配置用于實現(xiàn)對所述IC參考電壓的調節(jié)。

可選的，

所述電子熔絲模塊包括四個熔斷位。

本發(fā)明實施例提供的集成芯片參考電壓校準方法，用于校準權利要求上 述的集成芯片參考電壓校準裝置的參考電壓，包括：

在IC驗證測試階段，根據(jù)電子熔斷模塊的工作需要，搭建好用于給IC 內部校準參考電壓的電路；

S1、獲取所述IC的外部校準參考電壓；

S2、將所述外部校準參考電壓與理論標準值比較，得到調節(jié)值；

S3、根據(jù)所述調節(jié)值及電子熔絲模塊的檔位校準關系得到所述電子熔絲 模塊內熔斷位的檔位組合值；

S4、向所述電子熔絲模塊寫入所述檔位組合值，完成對所述IC自身產(chǎn)生 的參考電壓的校準。

可選的，

所述步驟S1包括：

S11、向IC的數(shù)模轉換模塊輸入標準電壓；

S12、讀取所述數(shù)模轉換模塊的電壓值，并根據(jù)數(shù)模轉換計算關系得到所 述IC的參考電壓。

可選的，

所述電子熔絲模塊的校準關系包括所述電子熔絲模塊內熔斷位的校準真 值表。

本發(fā)明實施例提供的集成芯片參考電壓校準后的使用方法，用在上述的 集成芯片參考電壓校準方法之后，包括：

K1、對IC進行上電；

K2、根據(jù)電子熔絲模塊的工作時序要求讀取檔位組合值；

K3、完成對所述IC參考電壓的校準。

可選的，

所述步驟K1之后及所述步驟K2之前還包括：

獲取所述IC的參考電壓；

判斷所述參考電壓是否與所述IC進行參考電壓校準時的參考電壓一致， 若是執(zhí)行步驟K2，否則對所述IC的參考電壓進行重新校準。

可選的，

所述參考電壓與所述IC進行參考電壓校準時的參考電壓不一致時，所述 IC發(fā)出提醒信號。