[發明專利]一種集成芯片參考電壓校準方法、裝置及使用方法

在審

• 申請號: 201410550775.6
• 申請日: 2014-10-16
• 公開（公告）號: CN105575837A
• 公開（公告）日: 2016-05-11
• 發明（設計）人: 操冬華;蘇俊杰;胡勝發
• 申請（專利權）人: 安凱（廣州）微電子技術有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 曹志霞

1.一種集成芯片參考電壓校準裝置，包括IC，其特征在于，還包括用于 調節所述IC參考電壓的電子熔絲模塊；

所述電子熔絲模塊安裝在所述IC內部；

所述電子熔絲模塊包括若干熔斷位；

所述若干熔斷位的組合配置用于實現對所述IC參考電壓的調節。

2.根據權利要求1所述的集成芯片參考電壓校準裝置，其特征在于，所 述電子熔絲模塊包括四個熔斷位。

3.一種集成芯片參考電壓校準方法，用于校準權利要求1或2所述的集 成芯片參考電壓校準裝置的參考電壓，其特征在于，包括：

在IC驗證測試階段，根據電子熔斷模塊的工作需要，搭建好用于給IC 內部校準參考電壓的電路；

S1、獲取所述IC的外部校準參考電壓；

S2、將所述外部校準參考電壓與理論標準值比較，得到調節值；

S3、根據所述調節值及電子熔絲模塊的檔位校準關系得到所述電子熔絲 模塊內熔斷位的檔位組合值；

S4、向所述電子熔絲模塊寫入所述檔位組合值，完成對所述IC自身產生 的參考電壓的校準。

4.根據權利要求3所述的集成芯片參考電壓校準方法，其特征在于，所 述步驟S1包括：

S11、向IC的數模轉換模塊輸入標準電壓；

S12、讀取所述數模轉換模塊的電壓值，并根據數模轉換計算關系得到所 述IC的參考電壓。

5.根據權利要求3或4所述的集成芯片參考電壓校準方法，其特征在于， 所述電子熔絲模塊的校準關系包括所述電子熔絲模塊內熔斷位的校準真值 表。

6.一種集成芯片參考電壓校準后的使用方法，用在權利要求3至5中任 一項所述的集成芯片參考電壓校準方法之后，其特征在于，包括：

K1、對IC進行上電；

K2、根據電子熔絲模塊的工作時序要求讀取檔位組合值；

K3、完成對所述IC參考電壓的校準。

7.根據權利要求6所述的集成芯片參考電壓校準后的使用方法，其特征 在于，所述步驟K1之后及所述步驟K2之前還包括：

獲取所述IC的參考電壓；

判斷所述參考電壓是否與所述IC進行參考電壓校準時的參考電壓一致， 若是執行步驟K2，否則對所述IC的參考電壓進行重新校準。

8.根據權利要求7所述的集成芯片參考電壓校準后的使用方法，其特征 在于，所述參考電壓與所述IC進行參考電壓校準時的參考電壓不一致時，所 述IC發出提醒信號。