[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410550472.4
• 申請日: 2014-10-16
• 公開（公告）號: CN105576026B
• 公開（公告）日: 2018-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 方磊
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供半導(dǎo)體襯底；

采用第一能量向所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入第一劑量的N型離子以于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第一N插入層；

于所述半導(dǎo)體襯底的表面形成具有柵極圖形的掩膜以將該半導(dǎo)體襯底的部分表面予以覆蓋；

采用第二能量向所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入第二劑量的N型離子以于所述柵極圖形正下方的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第二N插入層；

去除所述掩膜后，向所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)注入P型離子以制備P型阱區(qū)，所述第一N插入層變薄形成第三N插入層，所述第二N插入層由于頂部邊緣部分被P型離子補(bǔ)償而形成第四N插入層；

其中，所述第一能量大于所述第二能量，所述第一劑量小于等于所述第二劑量。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述第一能量的值為360-450kev，所述第一劑量的值為8e13-2e14ions·cm^-2。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，第二能量的值為500-1000kev，所述第二劑量的值為2e13-8e13ions·cm^-2。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述第四N插入層位于所述半導(dǎo)體器件的溝道區(qū)下方，且與所述溝道區(qū)不接觸。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述第三N插入層上表面和所述第四N插入層下表面接觸。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述掩膜為光刻膠。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述方法還包括：

形成第四N插入層后，于所述半導(dǎo)體襯底表面形成柵極結(jié)構(gòu)，且所述柵極結(jié)構(gòu)交疊在所述第四N插入層正上方；

進(jìn)行輕摻雜工藝；

繼續(xù)后續(xù)的源漏極制備工藝。

8.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

一半導(dǎo)體襯底；

設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的第一N插入層；

設(shè)置于所述第一N插入層上方的第二N插入層；

設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底之上的柵極結(jié)構(gòu)，且所述柵極結(jié)構(gòu)交疊在所述第二N插入層正上方；

形成所述第一N插入層和第二N插入層的步驟包括：

提供一襯底；

采用第一能量向所述襯底內(nèi)注入第一劑量的N型離子以于所述襯底內(nèi)形成原第一N插入層；

于所述襯底的表面形成具有柵極圖形的掩膜以將該襯底的部分表面予以覆蓋；

繼續(xù)采用第二能量向所述襯底內(nèi)注入第二劑量的N型離子以于所述柵極圖形的正下方的襯底內(nèi)形成原第二N插入層；

去除所述掩膜后，繼續(xù)向所述襯底內(nèi)注入P型離子以制備P型阱區(qū)，所述原第一N插入層變薄形成所述第一N插入層，所述原第二N插入層由于頂部邊緣部分被P型離子補(bǔ)償而形成第二N插入層，所述襯底為所述半導(dǎo)體襯底；

其中，所述第一能量大于所述第二能量，所述第一劑量小于等于所述第二劑量。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一能量的值為360-450kev，所述第一劑量的值為8e13-2e14ions·cm^-2。

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，第二能量的值為500-1000kev，所述第二劑量的值為2e13-8e13ions·cm^-2。

11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述掩膜為光刻膠。

12.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述第二N插入層位于所述半導(dǎo)體器件的溝道區(qū)下方，且與所述溝道區(qū)不接觸。

13.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述第一N插入層上表面和所述第二N插入層下表面接觸。