[發明專利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201410549863.4
• 申請日: 2014-10-16
• 公開（公告）號: CN104409483B
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發明（設計）人: 薛靜;于洪俊;朱紅;吳昊;崔子巍
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L21/28
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及顯示領域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。

背景技術

液晶顯示器發展迅猛，目前已經占據顯示領域的主流，廣泛應用于手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數碼相框、導航儀等產品中。

高級超維場開關技術(Advanced-Super Dimensional Switching，簡稱：ADS)是液晶顯示領域的新興技術，其通過同一平面內像素電極或公共電極邊緣所產生的平行電場以及像素電極與公共電極間產生的縱向電場形成多維電場，使液晶盒內像素電極或公共電極之間、像素電極或公共電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉轉換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。ADS技術具有寬視角、高開口率、低色差、低響應時間、無擠壓水波紋(push Mura)波紋等優點，但目前ADS產品同時也普遍存在透過率不高以及Crosstalk、Flicker(亮點串擾不良、閃爍不良)等不良，影響產品的顯示品質。

發明內容

本發明的實施例提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，能夠提高產品的透過率，同時對Crosstalk、Flicker等不良也有一定的改善效果。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

一方面，本發明的實施例提供一種陣列基板，包括：基板，形成于所述基板上的數據線、柵線、薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括柵絕緣層，所述柵絕緣層上與像素中的透光區域相對應的部分被去除。

進一步地，所述陣列基板還包括：鈍化層，所述鈍化層上與像素中的透光區域相對應的部分也被去除。

優選地，所述柵絕緣層制作時采用了一種或多種增加膜層致密度的方法。

具體地，所述柵絕緣層、所述鈍化層的分布區域包括所述數據線、所述柵線、所述薄膜晶體管的分布區域。

優選地，所述柵絕緣層和所述鈍化層的邊緣距離所述柵線均不小于2um，距離所述數據線也均不小于2um。

優選地，所述像素電極直接搭接在所述薄膜晶體管的漏極。

本發明實施例還提供一種顯示裝置，包括：任一項所述的陣列基板。

另一方面，本發明實施例還提供一種陣列基板的制造方法，包括：形成柵絕緣層的工序，所述形成柵絕緣層的工序中形成的柵絕緣層與像素中的透光區域相對應的部分被去除。

進一步地，所述陣列基板的制造方法還包括：形成鈍化層的工序，所述形成鈍化層的工序中形成的鈍化層與像素中的透光區域相對應的部分被去除。

優選地，所述形成柵絕緣層的工序中采用了一種或多種增加膜層致密度的方法。

本發明實施例提供的陣列基板及其制造方法、顯示裝置，將柵絕緣層上與像素中的透光區域相對應的部分去除，使像素中透光區域的透過率增加，從而提高產品的透過率；透過率增加，還可以彌補充電水平不足。另一方面，Crosstalk、Flicker等不良主要是控制顯示信號加載的薄膜晶體管的有源層受光照影響使得載流子增多所導致，本發明方案透過率增加可以使所需要的充電水平降低(充電水平受溝道的寬長比W/L影響)，這樣在設計時可以有意減小有源層，從而避免有源層受光照影響載流子增多，因而本發明方案對Crosstalk、Flicker等不良也有一定的改善效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它的附圖。

圖1為本發明實施例提供的TN型陣列基板的俯視結構示意圖；

圖2為本發明實施例提供的TN型陣列基板的剖面結構示意圖；

圖3為本發明實施例中柵絕緣層的俯視結構示意圖；

圖4為現有技術中TN型陣列基板在形成像素電極之前(左圖)和之后(右圖)的俯視結構示意圖；

圖5為現有技術中TN型陣列基板的剖面結構示意圖；

圖6為現有技術中ADS型陣列基板的剖面結構示意圖；

圖7為本發明實施例提供的ADS型陣列基板的剖面結構示意圖；

附圖標記：

10-基板，11-數據線，12-柵線，13-薄膜晶體管，14-像素電極，130-柵極，

131-柵絕緣層，132-有源層，133-漏極，15-鈍化層，16-公共電極。

具體實施方式