[發明專利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置有效
| 申請號： | 201410549863.4 | 申請日： | 2014-10-16 |
| 公開（公告）號： | CN104409483B | 公開（公告）日： | 2017-11-14 |
| 發明（設計）人： | 薛靜;于洪俊;朱紅;吳昊;崔子巍 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/423 | 分類號： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陣列 及其 制造 方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板，包括：基板，形成于所述基板上的數據線、柵線、薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括柵絕緣層，其特征在于，
所述柵絕緣層上與像素中的透光區域相對應的部分被去除，以增加透過率，從而減少有源層的分布面積；所述柵絕緣層制作時采用了一種或多種增加膜層致密度的方法，以減小柵絕緣層的透光率，改善亮點串擾不良和閃爍不良。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括：鈍化層，
所述鈍化層上與像素中的透光區域相對應的部分也被去除。
3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，
所述柵絕緣層、所述鈍化層的分布區域包括所述數據線、所述柵線、所述薄膜晶體管的分布區域。
4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，
所述柵絕緣層和所述鈍化層的邊緣距離所述柵線均不小于2um，距離所述數據線也均不小于2um。
5.根據權利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，
所述像素電極直接搭接在所述薄膜晶體管的漏極。
6.一種顯示裝置，其特征在于，包括：權利要求1-5任一項所述的陣列基板。
7.一種陣列基板的制造方法，包括：形成柵絕緣層的工序，其特征在于，所述形成柵絕緣層的工序中形成的柵絕緣層與像素中的透光區域相對應的部分被去除以增加透過率，從而減少有源層的分布面積；且，
所述柵絕緣層的工序中采用了一種或多種增加膜層致密度的方法，以減小柵絕緣層的透光率，改善亮點串擾不良和閃爍不良。
8.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，還包括：形成鈍化層的工序，所述形成鈍化層的工序中形成的鈍化層與像素中的透光區域相對應的部分被去除。
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