[發明專利]一種焊墊結構及其制作方法

在審

• 申請號: 201410548585.0
• 申請日: 2014-10-16
• 公開（公告）號: CN105575927A
• 公開（公告）日: 2016-05-11
• 發明（設計）人: 何明;郭煒;王瀟
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種焊墊結構，其特征在于，包括：

互連金屬層、位于所述互連金屬層上的層間介電層以及位于所述 層間介電層中的若干頂部通孔，其中所述互連金屬層分為焊墊區域和 非焊墊區域；

在所述層間介電層中形成有暴露位于所述焊墊區域的所述互連 金屬層的第一開口；

在所述層間介電層的表面上和所述第一開口的側壁和底部形成 有頂部金屬層，位于所述第一開口底部的頂部金屬層與所述互連金屬 層相接觸組成疊層結構，共同作為焊墊；

在所述頂部金屬層的上方形成有具有第二開口的鈍化層，所述第 二開口暴露所述焊墊。

2.根據權利要求1所述的焊墊結構，其特征在于，在所述互連 金屬層的下方還形成有若干互連金屬層和通孔交替組成的疊層。

3.根據權利要求1所述的焊墊結構，其特征在于，位于所述非 焊墊區域的所述頂部金屬層通過所述若干頂部通孔與下方的所述互 連金屬層相電連接。

4.根據權利要求1所述的焊墊結構，其特征在于，所述頂部金 屬層的材料選用金屬鋁或銅鋁合金。

5.根據權利要求1所述的焊墊結構，其特征在于，所述第二開 口呈上寬下窄形狀。

6.根據權利要求1所述的焊墊結構，其特征在于，所述第二開 口的寬度為所述焊墊寬度的1～2倍。

7.根據權利要求1所述的焊墊結構，其特征在于，所述鈍化層 選自PESIN層、PETEOS層、SiN層和TEOS層中的一種或者多種。

8.根據權利要求1所述的焊墊結構，其特征在于，所述頂部通 孔為鎢栓塞。

9.根據權利要求1所述的焊墊結構，其特征在于，所述焊墊結 構適用于CMOS圖像傳感器。

10.一種焊墊結構的制作方法，包括：

提供具有若干互連金屬層形成的疊層，相鄰所述互連金屬層之間 具有通孔，所述若干互連金屬層至少包含一互連金屬層，其中所述互 連金屬層分為焊墊區域和非焊墊區域；

在所述互連金屬層上形成層間介電層，在對應所述非焊墊區域的 所述層間介電層中形成若干頂部通孔；

在對應所述焊墊區域的所述層間介電層內形成暴露所述互連金 屬層的第一開口；

在所述層間介電層的表面和所述第一開口的側壁和底部形成頂 部金屬層，并圖案化所述頂部金屬層，其中，位于所述第一開口底部 的所述頂部金屬層與所述互連金屬層相接觸組成疊層結構，共同作為 焊墊；

在所述頂部金屬層上形成鈍化層，蝕刻部分所述鈍化層形成暴露 所述焊墊的第二開口。

11.根據權利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述第二 開口呈上寬下窄形狀。

12.根據權利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述第二 開口的寬度為所述焊墊寬度的1～2倍。

13.根據權利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述蝕刻 具有鈍化層對所述頂部金屬層高的選擇蝕刻比。

14.根據權利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述頂部 金屬層的材料選用金屬鋁或銅鋁合金。

15.根據權利要求10所述的制作方法，其特征在于，適用于 CMOS圖像傳感器的焊墊結構的制作。